浙江创芯集成电路申请光阻层测试方法及结构专利 确定用于阻挡离子注入的光阻层厚度

国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种光阻层的测试方法及测试结构”的专利，公开号CN120613282A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种光阻层的测试方法及测试结构，方法包括：提供测试晶圆；在测试晶圆上形成测试膜层，包括厚度不同的测试膜层区域；量测测试膜层区域注入前电阻；在测试膜层上形成光阻层，包括覆盖测试膜层区域的厚度不同的光阻层区域；在形成光阻层测试晶圆上进行离子注入，去除光阻层；量测测试膜层区域注入后电阻；根据注入前电阻和注入后电阻，确定测试膜层区域离子注入阻挡效果，离子注入阻挡效果达到工艺要求测试膜层区域所对应覆盖光阻层区域为目标光阻层区域；将目标光阻层区域厚度中的最小厚度，确定为实际工艺使用的光阻层厚度。所述测试方法测试选择用于阻挡离子注入的光阻层厚度，为降低光阻层对离子注入区域CD影响提供支持。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目257次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯