思远半导体申请提升瞬态供电性能的控制方法等专利，有效提升瞬态供电性能

国家知识产权局信息显示，深圳市思远半导体有限公司申请一项名为“提升瞬态供电性能的控制方法、控制器及供电装置”的专利，公开号CN120613908A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请提供了一种提升瞬态供电性能的控制方法、控制器及供电装置，控制方法用于对多相开关变换器进行开关控制，多相开关变换器将输入电源转换为满足负载需求的实时输出电压，控制方法包括：根据实时输出电压与参考电压的比较结果，生成电平信号；根据实时输出电压和预设的目标输出电压，确定实时输出电压的瞬态等级；基于电平信号和瞬态等级，生成脉冲置位信号；其中，脉冲置位信号中相邻脉冲之间的时间间隔根据瞬态等级和电平信号确定；根据脉冲置位信号生成周期性的PWM控制信号；利用PWM控制信号对多相开关变换器进行周期性地开通与关断控制，以调节实时输出电压。

天眼查资料显示，深圳市思远半导体有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1182.033万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市思远半导体有限公司财产线索方面有商标信息8条，专利信息124条，此外企业还拥有行政许可9个。

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来源：市场资讯