尚阳通科技申请场效应晶体管及其制造方法专利，克服宽禁带半导体材料器件的沟道载流子迁移率高、驱动电压高和栅介质层可靠性差值的问题

国家知识产权局信息显示，深圳尚阳通科技股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN 120603293 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明公开了一种场效应晶体管，第一JFET形成于第一外延层中，第二MOSFET形成于第二外延层中，第一外延层的材料的禁带宽度大于第二外延层的材料的禁带宽度，第二外延层形成于第一外延层的顶部表面上且第一外延层和第二外延层的接触面呈异质结，第一JFET的第一源区和第二MOSFET的第二漏区之间通过穿过异质结的第一浮空金属接触孔连接。第一JFET的第一栅极区通过穿过异质结的深接触孔连接到由正面金属层组成的源极；第二源区和源极连接。第一漏区的背面连接到由背面金属层组成的漏极。本发明还公开了一种场效应晶体管的制造方法。

天眼查资料显示，深圳尚阳通科技股份有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5107.3257万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳尚阳通科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息151条，此外企业还拥有行政许可20个。

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来源：市场资讯