北京集成电路装备创新中心申请半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备专利，可分步实现对附着于深槽结构的表层及内壁上部、下部的目标膜层的刻蚀

国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN120600631A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体刻蚀技术领域，具体而言，涉及一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备。其中，所述方法包括：主刻蚀步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，对附着于深槽结构的表层及内壁上部的目标膜层进行刻蚀；沉积步，在深槽结构的表层氧化层的表面沉积自掩膜层；过刻蚀步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，对附着于深槽结构的内壁下部的目标膜层进行刻蚀。本发明提供的半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，可分步实现对附着于深槽结构的表层及内壁上部、下部的目标膜层的刻蚀，且表层氧化层不易被刻蚀；此外，还可保证深槽结构的侧壁槽内的目标膜层的剩余量满足要求。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1013950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可6个。

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来源：市场资讯