英飞凌重磅官宣！全球首批300mm氮化镓(GaN)晶圆量产在即

2025年7月2日，知名德国半导体厂商英飞凌（Infineon）宣布：该公司300毫米晶圆厂将开始制造氮化镓 （GaN） 半导体器件。与传统的200毫米工艺相比，每片晶圆的芯片良率提高了2.3 倍，将于今年第四季度向客户提供首批测试样品。

氮化镓半导体拥有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，可实现更小的设计，从而减少诸如智能手机充电器、工业和人形机器人或太阳能逆变器等电子设备的体积、能耗和热量产生，目前已在工业、汽车、消费和计算与通信应用领域广泛应用。

市场分析师预计，到2030年，用于电源应用的氮化镓相关产品的收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元，前景依然看好。

英飞凌的制造战略主要采用IDM模式，拥有从设计到制造和销售最终产品的整个半导体生产流程。该公司掌握了所有三种相关材料：硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化镓，去年发布了40多款新型氮化镓产品，在该领域拥有较强实力。

英飞凌氮化镓业务负责人Johannes Schoiswohl（上图）表示：

“我们全面扩大300毫米氮化镓制造产能，将能为客户提供最高价值，同时朝着实现同类半导体和氮化镓产品的成本平价迈进。在英飞凌宣布在300毫米氮化镓晶圆技术方面取得突破近一年后，我们很高兴我们的过渡过程进展顺利，而且业界已经认识到英飞凌氮化镓技术的重要性，这得益于我们的IDM战略。”

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