美光公布2000亿美国投资计划

据闪德资讯获悉，美国存储大厂美光宣布投资2000亿美元计划，创造约90000个职位。

投资1500亿美元，包括爱达荷州兴建第二家领先的存储工厂，扩建弗吉尼亚州工厂。

纽约州四座晶圆厂工程也将依时间展开，以及将先进HBM带入美国。

投资500亿美元提升存储芯片研发，再次巩固全球存储领导者的长期地位。

主要目的满足市场需求，保持美光市占率，并支持生产40%的DRAM目标。

计划2027年下半年在爱达荷州第一座晶圆厂(Fab ID1)开始生产，第二座晶圆厂(Fab ID2)工厂将建在附近。

纽约州四座晶圆厂计划在2025年底完成环境审查后开始地基工作。

弗吉尼亚州工厂升级后将具备组装HBM内存堆叠的产能和先进封装能力，美光计划在爱达荷州晶圆厂提高DRAM晶圆的产量后，才会为弗吉尼亚州工厂增加生产HBM能力。

预计美光将在美国制造HBM5或HBM6。

美光CEO表示，在建立足够DRAM晶圆规模后，再把先进封装能力引入美国，支持长期HBM增长计划。

闪德资讯，一个聚焦关注存储产业供应链和趋势变化的垂直媒体。