三星电子成功开发基于10纳米工艺的第六代DRAM，预计在今年下半年量产HBM4产品

根据韩国先驱报报道，三星电子已经成功完成了第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术的研发，产品采用了先进的10纳米级工艺。

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根据内部人士透露，三星电子于本周一完成了此次第六代DRAM产品的研发，并在内部获得了量产批准，这表明三星电子生产的第六代DRAM已经做好了量产准备。

三星电子此前于 2022 年 5 月启动了第五代DRAM的量产，此次在第六代DRAM上的突破标志着三星电子的制程工艺在两年间取得了显著的进度。

报道中提到，三星电子此次的第六代 DRAM 研发之所以备受关注，根源在于三星电子的HBM（高带宽内存）内存业务。三星电子计划于今年下半年开始量产基于第六代DRAM的HBM4产品。

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三星电子的主要竞争对手SK海力士目前正在主导HBM市场，正在使用第五代DRAM开发HBM4产品。根据报道，SK海力士早在今年3月就已经向其主要客户提供了HBM4样品，同样计划在今年下半年实现HBM4量产。

报道还声称，随着三星电子完成第六代DRAM研发，市场关注的重点将转向三星电子能否迅速交付HBM4样品并通过NVIDA的认证测试。这是获取大规模订单的关键，三星电子目前还在等待其12层HBM3E产品的认证通过。

随着HBM技术的竞争，三星电子基于第六代DRAM的HBM4产品能否成功商业化。将成为三星电子重夺高端内存市场主导权的重点。

报道最后提到，三星电子已经开始向AMD供应其12层HBM3E产品。并且有传闻表示，三星电子正寻求与NVIDIA达成供货协议。三星电子还在与多家客户合作开发定制化的HBM4产品，预计明年开始营收。