泛林集团干式光刻胶新突破：28nm间距直接图案化，助力2nm及以下制程

近日，泛林集团（Lam Research）在其位于美国加州的总部发布了一项重大技术突破。该集团宣布，其研发的干式光刻胶技术已经成功通过了imec的严格认证，这一技术能够在逻辑半导体后道工艺（即BEOL，互联层制作）中，直接实现28nm间距的图案化，且完全满足2nm及以下先进制程的严苛需求。

在传统先进制程领域，湿式旋涂光刻胶基于化学放大原理，一直是主流选择。然而，泛林集团的干式光刻胶技术则采用了截然不同的路径，它是通过气相沉积小于0.5nm的金属有机微粒单元来形成的。这一创新技术不仅挑战了现有的光刻胶制备方式，更在性能上实现了显著提升。

据泛林集团介绍，其干式光刻胶具备出色的光子捕获能力，且光刻胶层的厚度调控更为精确。在实际应用中，这种新型光刻胶能够有效解决EUV光刻领域中的两大难题：曝光剂量和缺陷率。与湿化学光刻胶相比，干式光刻胶还更加环保，有助于推动半导体制造行业的绿色发展。

光刻流程从涂胶到最终制得图案，每一步都至关重要。泛林集团的干式光刻胶技术在这一流程中展现出了卓越的性能。目前，该技术已在0.33（Low）NA EUV光刻机上得到了验证，未来还有望扩展到即将投入使用的0.55（High）NA EUV光刻平台上，为半导体制造行业带来更加高效、精准的解决方案。

此次泛林集团干式光刻胶技术的成功认证，标志着半导体制造行业在光刻技术方面又迈出了重要一步。随着技术的不断进步和创新，我们有理由相信，未来的半导体制造将更加高效、环保，为科技的发展提供强有力的支撑。