三星3D NAND新突破：光刻胶用量大减，年省数十亿韩元成本

三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人注目的进展，这一消息由韩国媒体The Elec于近日报道。据悉，三星在光刻工艺中实现了光刻胶（PR）用量的显著减少，降幅高达50%。

据可靠消息透露，过去在3D NAND闪存的生产过程中，每层涂层需要消耗大约7-8cc的光刻胶。然而，通过精心调整涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，三星成功地将这一用量降低到了4-4.5cc。这一改进不仅体现了三星在工艺控制方面的精湛技艺，也预示着生产效率的大幅提升。

三星还引入了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，这一创新举措进一步提高了工艺效率。通常情况下，一次工艺只能形成一层涂层，但使用更厚的光刻胶后，三星能够一次形成多个层，从而显著缩短了生产周期。

然而，更厚的光刻胶也带来了新的挑战。由于光刻胶具有高粘度，涂层时的均匀性问题成为了一个亟待解决的技术难题。三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司携手，共同攻克了这一难关。自2013年起，两家公司就建立了密切的合作关系，共同研发高性能光刻胶。

东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星的第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND提供了关键材料。然而，随着三星在第9代3D NAND中全面应用这一新技术，东进半导体或将面临订单减少的局面。据悉，东进半导体每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元的收入，其中60%来自三星。

尽管这一变化可能给东进半导体带来一定的挑战，但三星的这一创新举措无疑将为其带来巨大的经济效益。通过减少光刻胶的用量和提高工艺效率，三星预计每年将节省数十亿韩元的成本。这一成果不仅彰显了三星在半导体生产领域的领先地位，也为整个行业的发展树立了新的标杆。