英诺赛科SolidGaN芯片荣获全球电子成就奖，展现氮化镓技术领先实力

【ITBEAR】在深圳盛大举行的国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）上，英诺赛科凭借其自主研发的SolidGaN ISG3202LA产品，荣获了备受瞩目的全球电子成就奖（WEAA）中的“最佳功率半导体/驱动器”奖项。

此次IIC展会由全球技术机构媒体领军者AspenCore主办，汇聚了全球半导体产业的众多顶尖厂商和创新企业。展会特设了IC设计与应用专区、分销商专区及半导体综合展区等高端展区，集中展示了IC设计、EDA/IP、物联网、AI、汽车电子、电源管理等前沿技术及其市场应用，共同探索电子产业的未来发展之路。

全球电子成就奖（WEAA）作为电子技术领域的重量级奖项，由AspenCore主办，并经过资深产业分析师评审委员会以及全球网站用户的共同评选。该奖项旨在表彰在全球电子产业中做出杰出贡献的企业和管理者，推动电子产业的发展和创新。

英诺赛科此次获奖的SolidGaN ISG3202LA产品，是一款专为48V数据中心、48V汽车电子、马达驱动等应用领域打造的高集成度100V氮化镓半桥合封芯片。该产品采用LGA 5X6.5封装，内部集成了两颗100V氮化镓、一颗半桥驱动器及多个电容电阻，从而大幅简化了系统BOM，缩小了方案尺寸，同时提供了高效率、高性能和高功率密度的卓越性能。

目前，英诺赛科的SolidGaN合封系列产品已全面覆盖100V和700V电压范围，为电源适配器、LED驱动、马达驱动、太阳能微型逆变器、数据中心及汽车电子等多个领域提供了简化的系统方案与高效性能支持。

英诺赛科作为全球功率半导体领域的领军企业，以及全球最大的氮化镓芯片制造商，采用IDM全产业链商业模式，并率先实现了8英寸氮化镓的量产工艺。公司屡获殊荣，包括连续两年入选胡润研究院《全球独角兽榜》，以及荣获江苏省科学技术厅、创新珠海科学技术奖励委员会和中国半导体行业协会颁发的多项荣誉。