HBM竞争的最新阶段

作为AI时代重要存储半导体的HBM竞争正在进入新阶段。

HBM是通过使用特殊液体或薄膜堆叠DRAM制成的。

目前，12层产品已商业化。

由于使用现有方法堆叠超过16层已达到物理极限，三星电子和SK海力士正在开发一种称为“混合键合”的新制造方法，该方法可以堆叠更薄更高。

目前第五代HBM，重要的是使用现有方法提高良率并解决发热等问题。

从第六代开始应用新的制造方法，竞争格局发生变化。

混合键合被称为“梦幻的封装技术”，三星电子和SK海力士正在开发，希望在市场上占据领先地位。

目前在制造HBM时，使用充当连接DRAM支柱的突起（凸块），SK海力士使用了通过在这些突起之间插入特殊的粘合液体，来施加热量和压力的方法，或者三星电子通过在DRAM之间插入薄膜并施加热量和压力。

通过将突起的尺寸减小到极限，间隙缩小到了10微米（㎛，百万分之一米）。

然而，随着HBM增加到16层，该方法遇到了局限性。

混合键合是一种无突起连接和堆叠DRAM的方法。

完全改变制造方法，即使堆叠更多的DRAM，也可以降低高度。

然而，混合键合的技术难度非常高。

目前，只有DRAM之间的引线突出部分需要均匀粘合。

为了降低高度，必须去除突起并且必须将DRAM的铜材料直接彼此附着。

铜的熔点比铅高，混合键合需要更高的温度和压力，难以确保良率。

这是一种先进的封装技术，具有很高的技术难度，例如热控制，仅仅因为现有方法的良率很好，并不能保证它在未来的产品应用中也可以很好。

占据优势的SK海力士计划将现有的制造方法升级到极限，并使用混合键合作为备份，打造下一代HBM。

作为挑战者的三星电子加快了引入混合键合的计划，并将突然从第6代HBM（HBM4）开始引入。