新时代！英诺赛科推动第三代半导体材料氮化镓迈向新高度

在当今快速发展的半导体行业中，氮化镓（GaN）作为新一代半导体材料正在逐步取代传统硅基材料，展现出巨大潜力。英诺赛科（Innoscience）作为这一领域的佼佼者，正通过先进的8英寸GaN-on-Si外延技术，引领着行业的创新发展。

英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。公司采用IDM全产业链商业模式，并在全球范围内首次实现了先进的8英寸氮化镓量产工艺，是全球氮化镓行业的龙头企业。英诺赛科设计、开发及制造的氮化镓产品能够适用于消费电子产品、可再生能源及工业应用、汽车电子产品及数据中心等多个应用领域。

英诺赛科开发了专为优化高压（HV）和低压（LV）器件的8英寸GaN-on-Si外延缓冲技术，以适应不同器件的特定需求或应用场景。

通过不断优化工艺参数和操作流程，英诺赛科成功获得了均匀、无裂纹、低位错密度和低缺陷的外延晶圆。这些优异的性能使得英诺赛科的8英寸GaN-on-Si晶圆在器件制造过程中具有更高的成品率和更长的使用寿命。

英诺赛科凭借在核心技术和关键工艺方面的前瞻性布局和突破，使其成功在全球率先实现了8英寸硅基氮化镓晶圆量产，并在8英寸硅基氮化镓晶圆技术方面的进步使公司遥遥领先于竞争对手。凭借强大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产技术，英诺赛科突破了每月10,000片晶圆的生产瓶颈，实现了产业规模的商业化，截至2023年12月31日，晶圆良率超过95%。

未来，英诺赛科将继续投入研发资源，致力于在技术、性能和产能方面进一步提升其8英寸GaN-on-Si外延技术，推动半导体行业的持续发展。英诺赛科的8英寸GaN-on-Si外延技术将在全球半导体市场中占据越来越重要的地位，为半导体行业的创新发展贡献力量。