美国投资8.25亿美元打造EUV光刻技术！

拜登政府宣布将在纽约州奥尔巴尼市投资8.25亿美元，建造国家半导体技术中心（NSTC）的旗舰设施。美国商务部表示，纽约州奥尔巴尼的场地将专注于极紫外（EUV）光刻技术，

NSTC是美国首屈一指的研发中心，旨在促进半导体技术创新，培养熟练的劳动力以支持这些新发展，并与私营部门和学术界合作。

NSTC的第一座设施名为“CHIPS for America Extreme Ultraviolet (EUV) Accelerator”（美国《芯片法案》EUV加速器），将在奥尔巴尼纳米技术综合大楼内建成。该综合大楼是一座高科技基地，面积超过165万平方英尺，由非营利组织纽约研究中心、经济发展、技术、工程和科学中心（NY CREATES）运营。顾名思义，该开发项目由《芯片法案》资助，这是美国过去28年来对其半导体行业最重要的投资。

美国商务部长雷蒙多表示：“凭借这一首个拟议的旗舰设施，美国《芯片法案》将为国家技术中心提供尖端研究和工具，它的启动代表着确保美国在创新和半导体研发领域继续保持全球领先地位的一个重要里程碑。”

EUV技术使公司能够突破摩尔定律的界限，该定律指出集成芯片中的晶体管数量每两年翻一番。由于最新的处理器已经在单个芯片上集成超过1000亿个晶体管，业界需要进一步推动EUV光刻技术，以允许在相同的空间内装入更多的晶体管。

目前，荷兰的ASML是全球唯一一家生产最新一代芯片所需的High-NA EUV设备的公司。

据报道，三星电子正准备在2025年初引入其首款High NA EUV（极紫外）光刻机设备，这标志着这家韩国科技巨头在先进半导体制造领域取得重大进步。这项由荷兰ASML独家提供的尖端技术对于2nm以下的工艺至关重要。韩国行业观察人士预计，三星将加快其1nm芯片商业化的开发工作。

每台High NA EUV光刻机售价约3.5亿美元（约合人民币25亿元），远高于ASML标准EUV系列的1.8亿~2亿美元。High NA系统具有8mm分辨率，晶体管密度是Low NA系统的三倍，因此具有巨大的价值。