湖南大学研发高亮Micro-LED，具有晶圆级均匀硅基GaN外延层

氮化镓（GaN）基微型发光二极管（Micro-LED）技术因高像素密度与亮度，被视为显示技术的革新力量，尤其在微显示与虚拟显示领域展现出巨大潜力。然而，当像素尺寸缩小至 10 微米以下时，Micro-LED 面临侧壁损伤与光提取效率受限等挑战，这直接导致了发光效率的下降与亮度不均的问题。

为解决这些技术难题，湖南大学的科研团队取得了突破性进展。他们成功研发出一种 4 英寸的绿色硅基氮化镓外延片，该外延片在晶圆级别上实现了高度均匀性，具备低位错密度、波长均匀性优越以及晶圆弯曲度极小的特点。基于这一创新材料，团队开发出了一款亮度超过千万尼特的绿色 Micro-LED 显示屏。

为了攻克 Micro-LED 侧壁损伤的问题，科研团队采用了原子侧壁钝化方法与湿法处理技术相结合的方式。这种方法不仅成功解决了侧壁损伤，还在像素顶部稳定生成了纳米级表面纹理，从而充分释放了高质量绿色硅基氮化镓外延片的内部量子效率。

结合精细控制的表面粗加工技术，绿光 Micro-LED 的光学与电气性能得到了显著提升。团队成功制造出像素尺寸小至 5 微米的高分辨率、高亮度硅基氮化镓 Micro-LED 阵列，其亮度高达 107cd/m⊃2;（尼特）。

此外，团队还利用垂直非对准键合技术，实现了 Micro-LED 显示器与硅基 CMO S驱动器的无缝集成。这一集成技术不仅带来了出色的亮度均匀性，还实现了高分辨率的图像显示。这一研究成果不仅彰显了 Micro-LED 显示器的巨大潜力，也为推动其在实际应用中的广泛普及奠定了坚实基础。