7月28日,中意企业家委员会第七次会议开幕式举行,三安光电副董事长、总经理林科闯在开幕式结束后接受记者采访时表示,当前新一轮科技革命和产业变革深入推进,全球产业链的合作与重塑孕育着无限商机。三安光电力争积极把握国际化合作机遇,携手意法半导体投资建设重庆三安意法项目——拟历时5年在重庆建立一个全新8英寸碳化硅芯片合资制造厂,一期工程将于今年年底前通线,这将为公司实现走向国际化目标迈出坚实一步。
这一项目是去年半导体领域最吸引眼球的跨国合资项目之一。意法半导体是全球半导体龙头企业,三安光电拥有中国最大的化合物半导体代工能力,国际半导体龙头牵手中国化合物龙头,这两家企业签约落地生根,在重庆投资200多亿元建厂,是具有战略性、基础性的布局。
2023年6月,三安光电和意法半导体同时官宣在重庆合资建厂,进行8英寸碳化硅(SiC)芯片大规模量产计划,项目预计投资总额达32亿美元(约合人民币228亿元),预计营收将达139亿元人民币,将于2028年全面达产。同时,三安光电独立投资70亿元人民币配套建设一座8英寸碳化硅衬底厂。整个项目投产后,将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。
据林科闯介绍,目前重庆三安意法项目有条不紊建设中,正处于设备进场安装调试的关键阶段,衬底厂预计8月底将实现点亮通线,安意法预计11月30日将整体通线,一年半时间整体通线这也将创造“国际化碳化硅晶圆厂”新的建设纪录。
据项目现场施工负责人介绍,6月底衬底厂已经举行主设备入场仪式,7月底主厂房机电、洁净进度等完成约70%,综合动力站和综合办公楼等基本施工完成。截至7月底,安意法芯片厂主厂的房屋、动力站等完成85%,综合楼墙体、幕墙完成90%,洁净进度、机电等完成50%,均符合规划通线进度。
“三安光电已在化合物半导体领域深耕二十多年,致力于成为全球碳化硅产业的领导者。我们将竭力以最先进的技术、最高精尖的设备、最有经验的管理团队、最成熟的产业发展经验,以最快速度推动项目早日建成投产。随着重庆项目建成投产,我们有信心继续在专业碳化硅晶圆代工市场占据优势地位。”林科闯说。
谈到未来企业发展和国际化战略的思考,林科闯表示,三安光电希望努力将自身打造为一家具备国际竞争力的半导体厂商,始终聚焦于行业最尖端的技术研究与应用,坚持“技术﹢人才”的科技成果产业化模式,通过技术交流和市场合作,扩充和布局国际市场,提升国际竞争力,为企业加速“出海”构建坚实的“护城河”。
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