创新驱动，英诺赛科以技术创新引领半导体产业升级

随着科技的飞速发展，半导体行业作为现代电子产业的核心，其技术创新显得尤为重要。英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）正是在这一时代背景下，凭借强大的研发能力和专利布局脱颖而出，成为全球功率半导体革命的领导者。

相关资料显示，英诺赛科由骆薇薇博士创立，公司专注于第三代半导体氮化镓的应用与研发，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，同时也是全球最大的8英寸硅基氮化镓器件制造商，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

英诺赛科设计、开发及生产若干类型的氮化镓产品，包括分立器件及集成电路、晶圆、模组等，并为氮化镓产品及技术研发投入了大量资源。2021年至2023年，英诺赛科研发投入分别达6.62亿元、5.81亿元和3.49亿元。同时，英诺赛科在中国苏州建立全球研发中心，将其定位为第三代半导体材料及芯片的领先研发中心。

经过多年的技术研发投入，截至2023年12月31日，英诺赛科在全球范围内拥有约700项专利及专利申请。这一数字不仅令人瞩目，更彰显了公司在技术创新和知识产权保护方面的坚定决心和显著成果。这些专利及专利申请涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等半导体产业的关键领域，为公司的长远发展提供了坚实的法律和技术保障。

目前，英诺赛科的产品已广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等领域。氮化镓具有的高频、高功效、开关速度快、低单位面积导通电阻等独特特性，可显著提高各种消费电子产品的性能及效率、缩小尺寸，为消费者带来更好、更便捷的体验。

随着这些专利技术的逐步应用和市场推广，英诺赛科有望在半导体行业中继续保持领先地位，为全球客户提供更加优质的产品和服务。