新型薄膜半导体诞生，为高效电子器件铺平道路！

近日，美国麻省理工学院和加拿大渥太华大学的科学家利用三元碲铋矿晶体材料研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。这项技术突破使得电子的迁移速度达到了传统半导体的7倍，为高效电子器件的研发铺平了道路。

这种超薄的"薄膜"半导体厚度仅为100纳米，通过分子束外延技术精细控制分子束，逐个原子构建而成，几乎无缺陷的材料结构使得其电子迁移率达到了惊人的10000 cm²/V-s，远远超过了硅半导体的1400 cm²/V-s。

"这就像一条不会堵车的高速公路，"研究人员描述这种材料的特性，"它对于更高效、更省电的电子设备至关重要，可以用更少的电力完成更多的工作。"

超高的电子迁移率不仅意味着更好的导电性，还意味着电子设备在运行时产生的热量更少，浪费的能量更少。这一特性为开发新型的电子设备提供了可能，例如将废热转换成电能的可穿戴式热电设备，以及利用电子自旋处理信息的自旋电子设备。

为了测量这种材料中的电子迁移率，科学家们将其置于极寒磁场环境中，并通过通电测量量子振荡。麻省理工学院的物理学家Jagadeesh Moodera表示，这项成果表明，通过适当控制这些复杂系统，可以实现巨大的科技进步。

"我们正朝着正确的方向前进，"Moodera说，"我们将进一步研究、不断改进这种材料，希望使其变得更薄，并用于未来的自旋电子学和可穿戴式热电设备。"

这项研究不仅展示了材料科学领域的新进展，也为未来的电子器件技术革新提供了坚实的基础。

同时，美国贸易与发展署（USTDA）与肯尼亚最近宣布建立伙伴关系，旨在推动东非国家的半导体制造能力，这标志着非洲大陆在全球半导体供应链中扮演更重要角色的期待已久的一步。

这一发展对肯尼亚乃至整个非洲大陆来说是一个关键的时刻，非洲大陆开始将自己定位为全球半导体生态系统中的关键参与者。但这只是一个更大棋局中的第一步。

非洲大陆，特别是东非和西非，拥有蓬勃发展的经济体和丰富的资源，为美国和“西方”国家提供了确保关键供应链和培育全球半导体领域新活力的机会。在日益复杂的地缘政治格局中，这还将加强与非洲大陆的伙伴关系。

肯尼亚、尼日利亚、卢旺达和加纳的经济为半导体制造的投资、创新和增长提供了特别肥沃的土壤。

这些国家可能成为全球网络中的关键枢纽，全球网络需要韧性和适应性，正如我们在美国、韩国、中国和欧盟看到的，数十亿美元涌入国家半导体市场。

随着美国通过历史性的直接投资在供应链各个环节发展其国内的半导体制造能力——未来10年将投入3270亿美元——也强调了与友好和盟友全球伙伴增加协调的重要性。