IF:64.8! Nature ​二维场效应晶体管的三维集成

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在半导体领域，三维 (3D) 集成不仅能够在单位面积上封装更多器件（称为“更多摩尔” 1） ，而且还为“超越摩尔” 2技术引入多功能性。尽管硅基 3D 集成电路已商用3,4,5，但新兴纳米材料6,7（例如二维 (2D) 材料）尽管具有独特的功能7,8,9,10 ，但其 3D 集成的努力仍然有限。在这里，我们演示了 (1) 基于 MoS 2 的晶圆级单片两层 3D 集成，每层有超过 10,000 个场效应晶体管 (FET)；(2)基于MoS 2和WSe 2的三层3D集成，每层约500个FET；(3) 两层 3D 集成， 每层基于 200 个按比例缩放的 MoS 2 FET（沟道长度，L CH = 45 nm）。我们还实现了 3D 电路并展示了多功能功能，包括传感和存储。我们相信，我们的演示将成为更复杂、高密度和功能多样化的集成电路的基础，在三维中单片集成更多层。

二维场效应晶体管的三维集成

Nature

Pub Date  : 2024-01-10

DOI : 10.1038/s41586-023-06860-5

Darsith Jayachandran , Rahul Pendurthi , Muhtasim Ul Karim Sadaf , Najam U Sakib , Andrew Pannone , Chen Chen , Ying Han , Nicholas Trainor , Shalini Kumari , Thomas V. Mc Knight , Joan M. Redwing , Yang Yang , Saptarshi Das