卡在国产AI芯片面前的一块硬骨头，我们准备动手了！

这些年，美西方害怕我们的芯片产业崛起甚至超过他们，因此不惜祭出严厉的制裁大招，到后来更是直接禁止了很多产品卖给国内企业。从光刻机和各种中间材料到芯片成品，都有严格的限制措施。

无可辩驳的是，这些制裁带来的后果异常严峻，迄今为止，我们依然难以购得顶尖的光刻机设备，致使我们难以自主生产芯片。尽管我们在设计层面已达到业界翘楚，但无法将设计转化为实际产品，这无疑是一大憾事。

实际上，深入探讨后我们会发现，在芯片领域，我们所面临的制约和落后之处远不止光刻机这一项技术。例如，在芯片设计的EDA软件工具方面，我们与国际先进水平的差距一度相当显著。不过，值得欣慰的是，近期华为在这一领域取得了突破性的进展，使得我们与世界先进水平的差距正在逐步缩小。

而在AI芯片方面，除了设计和制造上目前国内一线大厂与英伟达、AMD这样的大厂有差距外，还有一块非常重要的领域目前也存在的不小的差距，但却也是AI芯片中极为重要的一块，目前英伟达提供给国内的所谓阉割版所“阉割”的就是这一块的能力（当然还有其它）。

这个能力就是运算单元与存储器的传输速度，也就是存储的带宽。带宽越大，计算的效率就越高，这也是目前国产AI芯片与英伟达之间很显著的一个差距。

与传统PC的冯.诺一曼架构不同，现在的AI芯片的计算单元和存储单元是集成在一起的，不像之前都是单独一块，需要通过主板上的插槽和线路通迅，所以传输效率会更高，这里面提供快速存储的就是一种名叫HBM技术的高端存储产品，它比传统的DRAM存储速度快上很多倍，特别适合用在AI芯片上。

然而，令人遗憾的是，在这一领域我们长期未能取得显著的进展。不过，眼前却传来了一个振奋人心的消息，我们有望在HBM上实现重大的突破。

提及武汉新芯这家公司，或许其名字对你来说稍显陌生。但当我们聊到长江储存时，你是否有了些许的熟悉感？事实上，这两家公司之间有着深厚的渊源。原来，武汉新芯正是长江储存的前身，经过一番改组与升级之后，它们各自独立，而武汉新芯则蜕变成为了长江存储旗下的子公司。

长江存储是目前国内在存储芯片上实力最强技术最先进的公司，也是唯一跟海力士、三星、美光等在存储方面有一争之力的公司。目前在PC通用内存、固态硬盘等方面已经可以完全取代这些国外厂商了，这也是为什么你会发现原本上千的固态硬盘现在变得这么便宜的原因。

可惜的是，在高端存储芯片HBM方面我们有些落后了，并不是因为我们技术不行研发能力不行，而是由于一直以来受到西方打压，长江存储不可能像三星、海力士、美光那样赚得盆满钵满，很长一段时间我们都在为生存而努力，确实很难再有财力和精力投入到这些需要大量资金的领域。

然而，如今我们已然明了，追赶的步伐刻不容缓。这不仅关乎某一家企业的兴衰，更牵涉到整个行业的命运与技术的崛起。这已然成为高科技战斗的重要一环，关乎着对未来科技话语权的激烈争夺。愈是缺乏这样的力量，我们愈会面临无尽的打压与挑战。

这也是我们现在下定决心啃下这块硬骨头的原因。那么我们是否真正有能力啃下呢？

我深信，尽管HBM是一项尖端技术，但它并非全然崭新。其核心理念依旧立足于存储颗粒的三维堆叠与硅通孔（TSV）技术。前者通过优化单位空间的存储布局，显著提升了存储密度；而后者则通过增强存储颗粒间的连接界面，实现了带宽的飞跃性提升。因此，我对HBM的潜力充满信心。

事实上这两项技术在我们的现有产品3D NAND上已经取得了突破，早在去年就已经开始量产300层堆叠的存储芯片，因此我们有理由相信只要有足够的研发投入，再加上我们现有的技术积累和国内工程师的智慧，搞定HBM并不是一件难以想象的事情。

尽管当前国外已经迈入了第三代技术的研发阶段，而我们尚未触及第一代，但这并不意味着我们必须亦步亦趋地跟随其后。实际上，三星便是一个鲜明的例证，它直接从HBM二代起步，与众多竞争对手展开角逐，展现了不凡的实力与决心。

事实上我们也绝不是为了竞争而竞争，HBM可以说是未来存储芯片的趋势，当前几乎所有的AI芯片都需要用到HBM存储芯片，包括华为昇腾、寒武纪等在内的国内AI芯片公司也都要用到这些产品，现在只能采购国外的产品，但可以预料，只要我们在芯片设计上有追赶的趋势，西方肯定会祭出禁止出口的大招，现在不过是不觉得我们有什么威胁。

所以等我们有了自己的HBM高速存储芯片，那时候再在AI芯片设计上来个大突破，西方就是想制裁都无从下手。

可能的人担心芯片的生产，事实上对于HBM来说目前并没有用到最先进的N3、N5等芯片制程，即便国内目前只能在14纳米左右，也并不影响生产HBM芯片。而其它的封闭等产业链在国内也都是齐全的，当前缺的仅仅是HBM这项技术本身的实力。