第一作者:Mingpeng Shang
通讯作者:刘忠范,林立
通讯单位:北京大学
论文速览
针对石墨烯转移过程中存在的问题,如转移介质去除时可能导致的石墨烯表面污染、裂纹产生以及对空气中污染物的敏感性,本研究提出了一种新的解决方案。研究团队发现聚丙烯腈(PAN)可以作为一种聚合物介质,用于晶圆级石墨烯的转移,并作为封装层提供高性能的石墨烯器件。
值得注意的是,与传统的聚合物转移介质不同,PAN在后续应用中不需要被移除。本研究实现了将4英寸石墨烯无裂纹地转移到SiO2/Si晶片上,并制造了基于石墨烯的场效应晶体管(FET)阵列,这些阵列在室温下展现出无明显掺杂、高载流子迁移率(约11,000 cm² V⁻¹ s⁻¹)和长期稳定性。
图文导读
图1:PAN辅助的晶圆级石墨烯转移过程。
图2:拉曼光谱分析了不同聚合物(PAN、PMMA、PC、PI)作为封装层时石墨烯的掺杂水平。
图3:PAN覆盖的石墨烯在空气中暴露一周后的长期稳定性研究
图4:PAN层的简便移除过程。
总结展望
本研究的亮点在于使用PAN作为石墨烯的转移介质和封装层,实现了晶圆级石墨烯的无裂纹转移,并显著提升了石墨烯器件的电子性能和长期稳定性。通过PAN辅助的转移过程,制造出的石墨烯基FET阵列展现出了高载流子迁移率和优秀的均匀性,满足了石墨烯电子学和光子学应用的基本要求。
此外,PAN层的有效封装为石墨烯器件提供了在空气中污染物下的长期保护。研究还展示了PAN层的简便移除方法,为石墨烯在传感器和微电子机械系统等应用中提供了可能。这项工作不仅为二维材料的转移过程设计提供了新概念,也为制造高性能二维材料器件提供了可靠的方法。
文献信息
标题:Polyacrylonitrile as an efficient transfer medium for wafer-scale transfer of graphene
期刊:Advanced MaterialsDOI:10.1002/adma.202402000
领取专属 10元无门槛券
私享最新 技术干货