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消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化,新团队专责 HBM4 开发

IT之家 5 月 10 日消息,据韩媒 The Elec 报道,三星电子内部已对其 HBM 内存开发部门进行“双轨化”改造,以增强其在 HBM 业务上的竞争力。

具体而言,由现有 DRAM 设计团队负责 HBM3E 内存的后续研发工作,而三月成立的 HBM 产能质量提升团队则专注开发下一代 HBM 内存 ——HBM4。

新设立的 HBM 专门开发团队由三星电子 DRAM 开发副总裁 Hwang Sang-joon 负责,直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工作,同时三星近期已将部分人力转移至该团队。

作为 AI 算力芯片的优秀辅助,HBM 内存早已成为业界前沿热点。而下一代 HBM4 内存将在多个维度引入较大变化,在带来更多可能性的同时研发难度也随之提升:

一方面,HBM4 内存在堆叠上将普及 12 层,首发 16 层,也带来了更大的晶圆翘曲风险;

另一方面,HBM4 内存的基础裸片(Base Die)将走向定制化,产品具体特性要跟随用户需求调整。

此外,根据IT之家近日报道,SK 海力士已将其 HBM4 内存的 12 层堆叠版本的量产时间前移至 2025 年下半年,三星电子目前仍维持 2026 年的预设目标。

三星此番组建 HBM4 独立团队,意在化解内存开发难题,缩短开发周期,从而在 HBM4 节点重振 HBM 内存竞争力,从 SK 海力士手中夺回市场优势。

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  • 原文链接https://page.om.qq.com/page/OXSuT40Hd5pXA2gWNI7v_p1A0
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