公开是数据指出,和硅等传统半导体材料相比,GaN作为一种宽禁带材料,能够在更高压、更高频、更高温度环境下运行。
与SiC相比,GaN在成本方面表现出更强潜力,且GaN器件为平面器件,与现有Si半导体工艺兼容性强,使其更易与其他半导体器件集成,GaN可同时涵盖射频及功率领域,在高功率及高频率领域应用效果出色。
根据集邦咨询数据,2022年全球GaN功率器件市场规模为1.8亿美元,到2026年全球GaN功率器件有望达13.3亿美元,年均复合增长率或将高达65%。面对庞大市场需求,众多半导体厂商开始扩充产线,加速布局GaN市场。建议关注国内研发能力强、供应链完整且布局氮化镓相关产业的龙头厂商。
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