中国工程院院士丁荣军：第三代半导体技术未来十年复合增速将超20％

在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上，中国工程院院士丁荣军表示，以碳化硅为代表的第三代半导体技术（包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术）已经开始获得应用，并具有很大的性能及市场潜力，将在未来十年获得高达年复合20%以上的快速增长。丁荣军指出，在电动汽车的应用驱动、性价比权衡、消费惯性等因素影响下，未来十年Si-IGBT仍将是功率半导体器件的主流，并将与碳化硅功率器件长期并存。（上证报）