安森美开发使用沟槽结构SiC器件，有效降低成本

集微网消息，据eeNews报道，安森美正在开发使用沟槽结构而不是平面结构的碳化硅MOSFET，将于今年晚些时候推出，预计2024年会出样。

该公司在捷克布尔诺附近拥有SiC外延片工厂，并在韩国的一家晶圆厂进行设备制造。 转向沟槽结构允许在150毫米（6英寸）晶圆上构建更多器件，从而降低器件成本。该公司还有一个用于200毫米（8英寸）SiC晶圆生产的工程计划。

EliteSiC M3S器件针对800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和能源基础设施应用，例如EV充电、太阳能和储能系统。除此之外，还用于采用标准F2封装的低Rds(on)半桥功率集成模块 (PIM)。这些模块针对工业应用，非常适合DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换级。它们通过优化的直接键合铜设计提供更高级别的集成，以实现并联开关之间的平衡电流共享和热分布。PIM旨在为能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源(UPS)提供高功率密度。

“安森美最新一代的汽车和工业EliteSiC M3S产品将使设计人员能够减少他们的应用足迹和系统冷却要求，”安森美高级副总裁兼高级电源部门总经理Asif Jakwani说。“这有助于设计人员开发具有更高效率和更高功率密度的大功率转换器。”（校对/武守哲）