和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。 ...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 ...4、ROM也有很多种， PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM） 两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了...5、FLASH存储器又称闪存 它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器...6、软件支持: 当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快。...（现在用的最多，小型存储器） Flsah FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM 的优势...目前Flash主要有两种 ,NOR Flash （小、贵）和 NADN Flash （大，便宜）。NAND FLASH和NOR FLASH 都是现在用得比较多的非易失性闪存(ROM)。
区别之1 bram 的输出需要时钟，dram在给出地址后既可输出数据。...区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。...但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 5.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。
对于手工编写的HDL代码所描述的RAM，在默认情况下，Vivado会通过内部算法给出最优结果。此外，也可以通过ram_style指导工具推断RAM的实现方式。...该属性有4个值：block（将RAM映射为Block RAM）、distributed（将RAM映射为分布式资源）、registers（指导工具推断为寄存器而非RAM）和ultra（将RAM映射为UltraRAM...对于如下图所示的RAM，如果ram_style为distributed，则消耗267个LUT和16个FF；如果ram_style为Block，则消耗1个18Kb的Block RAM。 ? ?...类似地，rom_style则是引导综合工具将ROM采用不同的资源实现。其可选值有两个：block和distributed。这是因为UltraRAM不能用做ROM。...结论 -ram_style和rom_style都可将存储单元映射为BlockRAM或分布式RAM -手工编写HDL代码的优势在于结合ram_style/rom_style可灵活地将RAM或ROM根据设计需求映射为不同的资源
、电子介质存储器、纸介质存储器、光介质存储器等概念 按存取方式分类可分为随机存储器(Random Access Memory， RAM)只读存储器 (Read Only Memory， ROM)串行访问存储器...概念 按信息的可保护性分类可分为易失性存储器和非易失性存储器RAM都是易失性存储器ROM都是非易失性存储器性能指标概念 存储器存取时间从存储器读出/写入一个存储单元信息，或从存储器读出/写入一次信息(信息可能是一个字节或一个字...可以向 RAM 写入数据，也可以从 RAM 读出数据RAM 的一个明显的特点是: 它是易失性存储器一般来说RAM有两种: SRAM、DRAMSRAMSRAM 存储1个位，需要 6 个晶体管，因此 SRAM...MROM狭义的ROM单指掩膜型只读存储器 (MROM，Mask ROM)在制造ROM存储知阵时，如果生产量较大，一般要根据对存储内容的要求设计掩膜版，用这种工艺制作出来的ROM就叫作掩膜POM。...SSD固态硬盘 (Solid State Drives)由控制单元+存储单元(Flash芯片)构成，与闪速存储器的核心区别在于控制单元不一样，但存储介质都类似，可进行多次快速擦除重写。
您的硬盘是您的主要存储设备，它保存着您的操作文件和个人文件，那里的信息量会影响您的计算机的速度。 幸运的是，您的系统还可以利用另外两种内存类型来保存您的信息，RAM和ROM。...其他类型的存储器 除了你的电脑需要的硬盘之外，还有另外两种存储器选择。让我们深入了解它们是什么，以便更好地理解RAM与ROM的区别。 什么是RAM？...EEPROM 最后一种类型，电子可擦除可编程只读存储器，或EEPROM使用场电子发射以电子方式擦除芯片中的数据。这是具有读/写能力的最有效的选择，但也是最昂贵的。 RAM和ROM的主要区别是什么？...很明显，RAM和ROM是两种不同的存储方式，下面我们就来分析一下它们的主要区别和你需要了解的地方。 数据存储 RAM数据不是永久存储在系统上的，它可以被无限期地改变。...也就是说，这些是一个非常便宜和可行的选择，可以给你更多的存储空间，如果你的电源意外断电，它不会消失。 最后的结论 当你比较RAM和ROM时，很容易看出它们都有各自的优点和缺点。
对于 BRAM（Block RAM，块 RAM） 在 BRAM Controller 控制器下，支持单口 RAM、真双口 RAM、单口 ROM 和双口 ROM； 在不使用 AXI 的控制器情况下...，支持单口 RAM、简单双口 RAM、真双口 RAM，单口 ROM 和双口 ROM。...真双口 RAM： 和简单双口的区别： 简单双口是一个口专门读，一个口专门写； 真双口是 2 个口都可以读写； 真双口可以看成是 2 个单口拼起来的，且 2 个单口共享存储器。 ?...单口 ROM 和 双口 ROM 双口 ROM 可以看成是 2 个单口拼起来的，且 2 个单口共享存储区。 ? 对于 DRAM（Distribute RAM，分布式 RAM） ?...ROM 给地址，出对应地址的数据，没有时钟 ? RAM：支持单口、简单双口、双口。 （注意！这里的双口和真双口不同，DRAM 不支持真双口 RAM） ?
在讲这三种模式具体的区别前，我们先把RAM的接口说一下，对于单端口RAM，有6个端口： clka: 时钟输入端口 addra: 地址输入端口 dina: 数据输出端口 douta: 输出输出端口 ena...: RAM使能，高有效 wea: 写使能，高有效 ? ...首先来回顾一下RAM最常被使用的方式，当需要写入数据时，将wea拉高，并给出地址和数据；当需要读数据时，将wea拉低，在地址的下一个周期输出数据。...下图中，在时刻1时，将数据1111写入RAM中，默认douta的数据比地址晚一个周期，因此在时刻2时，1111便会出现在douta上。 ?...下图中，假如地址aa上的数据是0xaa，地址bb上的数据是0xbb,地址cc上的数据是0xcc，在时刻1将数据1111写入到RAM中，但在下一个时钟周期即时刻2时，RAM的输出douta输出的是RAM原来的数据
从图中可以看出，Block RAM本身会对输入控制信号（addr, we, en）和输入数据（din）进行寄存（这些寄存器是可选的且在Block RAM内部），同时对输出也可寄存（该寄存器也是可选的）。...从而，从输出到输出的最大Latency为2。采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时，可按照Block RAM的架构描述。...Block RAM自带的寄存器（Embedded Registers）对系统性能有很大影响，以VirtexUltraScale Plus芯片为例，在使用该寄存器和未使用该寄存器时，Tco（时钟到输出延迟...（图片来源ds923,table 28） 在综合后的网表中，选中设计中的Block RAM，在其Property窗口中，查看DOA_REG和DOB_REG，若其为0，则说明未使用Embedded Registers...当设计要求Latency为2时，Primitives Output Register和Core Output Register选取其一即可。
设计中如果大量使用Block RAM，可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例，目标芯片为UltraScale，通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度，如下图所示。 ?...还有一个综合属性ram_decomp，可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例，采用如下图所示的四种实现方式。...其中，第4种实现方式同时使用了cascade_height和ram_decomp两个综合属性。 ? 相比下来，第4种实现方式可获得性能和功耗的折中。第1种和第3种实现方式是一致的，均获得较低的功耗。...结论： -使用大深度的RAM时，可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式，以获得性能与功耗的折中 上期内容： Block RAM的基本结构 下期内容： UltraRAM
我这选择使用vnc viewer来连接vps，添加一个新的连接，输入人家给你的IP和端口，其它维持默认，填完了之后保存 保存之后连接，它会问你要密码，输入厂商给你的密码，为了方便可以把记住密码勾上，这样回头再连就不用密码了...的版本，需要安装的软件和编译的命令都一样。...查阅资料说可能是ram不够，内核跑不起来。。。。。。老老实实再去重装。。。这里没有截图，重装完成之后回来继续更新软件包、编译python，若问我为啥执着于编译python，因为后面要用到。。。...完事之后就开始按照教程和官网文档来搭建Pagermaid-Pyro，至于为啥不全按照文档或者教程，因为文档没考虑低配机而官方文档还是老分支的版本（Pagermaid-Modify），Pagermaid目前有新旧两个分支...PagerMaid-Pyro pip3 install -r requirements.txt --no-cache 上面安装完成之后使用python3 -m pagermaid命令第一次运行，然后按照提示完成初始化和登录
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!...函数的局部变量过多,越界 出现的问题:程序跑错乱,重启 / 死机 因为STACK是往下增长,所以会占用 Heap 的地方 解决方法:1,确定程序没有问题 2,增大Stack 不能够使用malloc
前言 一些定制、第三方 ROM 在安装了 Google 框架后，仍然无法使用其网络定位功能。我在网上搜索了许多资料，整理如下。 本文假设你的设备已经 Root，并已经安装了 Google 框架。...我测试用的 ROM 为一加氢 OS。 一、准备工具 需要准备的工具有 zip、unzip、apktool、adb、zipalign，以及一个好使的文本编辑器。...二、提取需要的资源 取出 ROM 中的 framework-res.apk，并反编译得到需要修改的文件： adb pull /system/framework/framework-res.apk apktool...如我的 ROM 默认只有 com.android.location.fused 和 com.amap.android.location 两项，这时应当加入 com.google.android.gms，...ROM 和更新脚本上传到手机： 这个更新脚本是我自己写的，主要处理了权限问题： install-framework-res.sh: #!
RAM是什么以及在EOS生态中的地位，和NET、CPU的关系，对于EOS生态下DAPP开发的作用等等，限于篇幅原因，这里不详细展开，相关文章非常多。这里主要想提几个关键点。...CW在其中被约掉了，也就是说RAM价格曲线只与B和C的初始值设定有关！...因为正如上文所说，公式7中的F值在定价过程中已经抵消，价格曲线影响因素仅有B与C的初始值，这个F和Bancor Protocol白皮书中的CW区别很大。...FO和EOS在生态体系内等价，链上也有自己的RAM，兑换机制和EOS-RAM很类似。所以FO本身，其实也承载了在这条侧链上开发DAPP的稀缺资源的功能。...具体的公式和推导参考文末链接#8，本质上和RAM的公式推演是非常类似的。
（1）单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示，只有一个时钟源CLK，WE为写使能信号，EN为单口RAM使能信号，SSR为清零信号，ADDR为地址信号，DI和DO分别为写入和读出数据信号。...（3）真正双端口RAM 模式 真正双端口RAM模型如下图所示，图中上边的端口A和下边的端口B都支持读写操作，WEA、WEB信号为高时进行写操作，低为读操作。...例如，在包含嵌入式处理器iroBlaze和DMA控制器系统中，采用真正双端口RAM模式会很方便；相反，如果在这样的一个系统中，采用简单双端口RAM模式，当处理器和DMA控制器同时访问RAM时，就会出现问题...真正双端口RAM模式支持处理器和DMA控制器同时访问，这个特性避免了采用仲裁的麻烦，同时极大地提高了系统的带宽。...（4）ROM 模式 块RAM还可以配置成ROM，可以使用存储器初始化文件（.coe）对ROM进行初始化，在上电后使其内部的内容保持不变，即实现了ROM功能。
= =和equals的区别: equals和==最大的区别是一个是方法一 个是运算符。...==:如果比较的对象是基本数据类型,则此较的是数值是否相等;如果比较的是引用数据类型,则比较的是对象的地址值是否相等。 equals():用来比较方法两个对象的内容是否相等。...注意: equals 方法不能用于基本数据类型的变量,如果没有对equals方法进行重写,则比较的是引用类型的变 量所指向的对象的地址。...break和continue的区别: break和continue都是用来控制循环的语句。 break用于完全结束一个循环， 跳出循环体执行循环后面的语句。
2017-10-16 03:54:43 这两种方式都是用来进行遍历操作的，但是他们之间还是有一些区别的。...i in array1){ console.log(i); //依次输出1 2 3 name } console.log(array1.length); //输出3 这是原数组的长度...例如上例的name属性 所以for in更适合遍历对象，不要使用for in遍历数组。...2, c:3 } for (var key in myObject) { console.log(key+":"+myObject[key]);//输出a:1 b:2 c:3 } 两个遍历方式的最终区别就在于...：for in遍历的是数组的索引（即键名），而for of遍历的是数组元素值。
逻辑与跟短路与的差别是非常巨大的，虽然二者都要求运算符左右两端的布尔值都是true整个表达式的值才是true....&&之所以称为短路运算是因为,如果&&左边的表达式的值是false,右边的表达式会被直接短路掉,不会进行运算。...usemame.equal(""), 二者的顺序不能交换，更不能用&运算符，因为第一个条件如果不成立,根本不能进行字符串的equals比较,否则会产生NullPointerException异常。...注意:逻辑或运算符(|)和短路或运算符(||)的差别也是如此。
php // NULL 合并运算符的例子 $action = $_POST['action'] ??...isset($_POST['action'])) { $action = $_POST['action']; } else { $action = 'default'; } 如果针对没有定义的，...:是三元运算符 如果针对已经定义了，但是想使用empty判断的情况可以使用 ?: c = a ?: 1;var_dump( 这样会报 undefined
官方文档建议的swap空间分配大小： RAM Swap空间 1GB-2GB 1.5倍RAM 2GB-16GB 和RAM一样 大于16GB 16GB 可以使用free命令查看当前可用的RAM和swap空间...知识点3：RAM和ROM 经常听到有RAM和ROM内存，关于他们之间的区别： RAM-Ramdom Access Memory易挥发性随机存取存储器高速存取读写时间相等且与地址无关计算机内存等。...ROM-Read Only Memory只读存储器断电信息丢失计算机启动用BIOS芯片存取速度低（较RAM而言）且能改写由于能改写信息能升级现已少使用。...ROM和RAM计算机内存储器两种型号ROM表示只读存储器即：只能读出信息能写入信息计算机关闭电源其内信息仍旧保存般用存储固定系统软件和字库等RAM表示读写存储器其任存储单元进行读或写操作计算机关闭电源其内信息保存再次开机需要重新装入通常用来存放操作系统各种正运行软件...、输入和输出数据、间结及与外存交换信息等我们常说内存主要指RAM。
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