Block RAM与Distributed RAM，简称为BRAM与DRAM， 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构： FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器，Distributed RAM需要使用SliceM，所以要占用CLB中的逻辑资源，而Block RAM是单独的存储单元...用户申请资源时，FPGA先提供Block RAM，当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。...Block RAM是单独的RAM资源，一定需要时钟，而Distributed RAM可以是组合逻辑，即给出地址马上给出数据，也可以加上register变成有时钟的RAM，而Block RAM一定是有时钟的...5、 在异步fifo ，用两种RAM可供选择，BRAM和DRAM，BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源，DRAM是拼接LUT构成。
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。...5.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高，就用BlockRAM。...否则，就可以用Distributed RAM。
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线，因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时，需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM，只有一套地址总线，读和写是分开（至少不能在同一个周期内完成）。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
在RAM中，单端口RAM（Single-port RAM）和双端口RAM（Dual-port RAM）是两种常见的类型，双端口RAM又分为真双端口（True dual-port RAM）和伪双端口RAM...单端口RAM（Single-port RAM）： 输入只有一组数据线和一组地址线，读写共用地址线，输出只有一个端口。...伪双端口RAM可以提供并行读写操作，避免了传统单端口RAM的等待时间，因此有更快的访问速度和响应时间。...伪双端口RAM：AB可同时读写，但仅A写B读。 真双端口RAM：AB可同时读写，A可写可读，B可写可读。 图片 在功能上与伪双端口RAM与FIFO较为相似，两者有何区别？...ram_data[addr_a] =ram_data[addr_a]; ram_data[addr_b] =ram_data[addr_b]; end end endgenerate
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
2、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read – Only Memory) 电可擦可编程只读存储器 3、SRAM（Static RAM）静态RAM... 4、DRAM（Dynamic RAM）动态RAM 5、DDR SDRAM （Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 ...2、RAM有两大类： 一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，...DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
Ram Disk，顾名思义，就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了，比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储，都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时，本来就不依赖文件系统，因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着，别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大，而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk，它还只是一个Device，一般在使用时，还要在Disk上创建块设备，并将这个块设备格式化。
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内（2ms），先让存储器读写，然后集中刷新，这样就存在死区问题，如果是存取周期为2us的话，这样对于64*64的存储矩阵来说，集中刷新为128us，死区时间也为
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快。...DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM，和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。...在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM：只读存储器的总称。
以UltraScale芯片为例，每个Block RAM为36Kb，由两个独立的18Kb Block RAM构成，如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出，Block RAM本身会对输入控制信号（addr, we, en）和输入数据（din）进行寄存（这些寄存器是可选的且在Block RAM内部），同时对输出也可寄存（该寄存器也是可选的）。...采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时，可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位，输出寄存器是带有复位端口的，但仅支持同步高有效。...实验证明，只要按照该结构描述，所有的寄存器会映射到Block RAM架构中，不会消耗额外的寄存器。 ?...结论： -在使用Block RAM时，为便于时序收敛，最好使用Embedded Registers 上期内容： 查找表用作分布式RAM 下期内容： Block RAM的性能与功耗
设计中如果大量使用Block RAM，可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例，目标芯片为UltraScale，通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度，如下图所示。 ?...；若级联高度为8，同一时间有4个Block RAM处于激活状态。...还有一个综合属性ram_decomp，可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例，采用如下图所示的四种实现方式。...结论： -使用大深度的RAM时，可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式，以获得性能与功耗的折中 上期内容： Block RAM的基本结构 下期内容： UltraRAM
（1）单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示，只有一个时钟源CLK，WE为写使能信号，EN为单口RAM使能信号，SSR为清零信号，ADDR为地址信号，DI和DO分别为写入和读出数据信号。...单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分，分别实现两个独立的单端口RAM。...需要注意的是，当要实现两个独立的单端口RAM模块时，首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。...（2）简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示，图中上边的端口只写，下边的端口只读，因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM（Pseudo Dual Port RAM）。...一般来讲，在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中，能达到的最宽数据位为36比特*512，但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!
在FPGA设计中可能会出现对单端口RAM需求较大的情况。尽管Xilinx提供了将BRAM配置为单端口RAM的IP Core，但从资源角度来看，可能会造成浪费。...例如，需要2个512x18的单端口RAM，若直接采用单端口RAM的配置方式，1个512x18的单端口RAM将占用1个18Kb的BRAM，这意味着将要消耗2个18Kb的BRAM。...二者地址空间没有重叠，因此互相独立，从而形成了两个独立的512x18即9Kb的单端口RAM。此外，端口A和端口B的位宽可以不一致（但不是随意的），如上图的右半区域所示。...仍将BRAM配置为双端口RAM，其中端口A为1024x18，端口B为2048x9。...二者地址空间依然没有重叠，仍相互独立，从而形成了两个独立的9Kb的单端口RAM。 思考一下： 对于URAM是否可以这么配置？
而归根到底，这两个问题来自于 短暂的、空间上的家庭角色和工作角色融合所带来的不适应。...家庭角色vs工作角色 近些年欧美各国一直在讨论work-life balance （请注意这个词balance），这实际上是在讨论一个在世界各国都普遍存在的社会现象：工作角色和家庭角色之间，毫无疑问是相互冲突的...这也是因为家庭角色和工作角色上分配的时间难以分割、压力相互独立、所要求的的行为（比如应酬和家庭出游）难以相互满足。所以，投入家庭（工作）角色会使投入工作（家庭）角色变得更困难[2]。...111.jpg 直观上讲，家庭角色需要我们关心孩子、配偶乃至更大家庭（比如各种叔叔婶婶父亲母亲）的一举一动，即传统的家庭关系，而工作角色需要我们维护和上司、同事之间的关系。...这带来的结果就是之前提到的，同事和上司之间的关系（工作角色职能）降低，家庭关系（家庭角色职能）提升。
定义与功能内存条，全称为Random-Access Memory（RAM），也称为随机存取存储器。它是电脑中用于暂时存储数据和程序以供CPU快速访问的部件。
手机的RAM似乎每季度增加一次，那么手机到底实际需要多少RAM。...如果进程需要更多的RAM且RAM可用，则内核只需跟踪哪个进程正在使用哪些内存即可。 但是，当资源稀缺时，事情就会变得复杂。如果CPU繁忙，手头的工作仍会完成，但不会那么快。RAM不同。...当进程请求更多RAM且RAM不可用时，内核将尝试通过交换释放一些RAM。如果找不到足够的RAM，则内核需要变得更加主动并开始淘汰进程。对于内核来说，这是一个奇怪的情况。...“标准”应用程序使用130MB至400MB的RAM。...设备上使用的RAM量完全取决于您正在运行的应用程序。如果您喜欢Instagram和Candy Crush，但不喜欢其他东西，那么您将使用刚超过1GB的RAM。
所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口（port） CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈： 为设备去访问RAM的瓶颈。...每个CPU访问自己的本地RAM。 ?...2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟，但SRAM贵，容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。...2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。...DRAM物理结构：若干RAM chip，RAM chip下有若干RAM cell，每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟（等待电容充放电），但DRAM便宜，容量大。
Step 2 在~/Library/Developer/Xcode/DerivedData.上部署安装2 GB大小的RAM磁盘。...1024 / 512）： C代码 收藏代码 hdid -nomount ram://4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字：/dev/diskN（N为数字）。...这些文件仍会占据空间，但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时，磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时，Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。...: //4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字：/dev/diskN（N为数字）。...这些文件仍会占据空间，但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时，磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时，Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。
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