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在我的Linux系统上，我可以使用mtd库中的flash_erase程序从命令行擦除闪存。但我需要擦除模块中的mtd分区。在内核包含文件中，我找到了linux/mtd/mtd.h，但它定义的是结构，而不是要调用的函数。有没有人可以为我指明正确的方向来做这件事？谢谢，韩
浏览 30提问于2011-02-01得票数 1
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我正在使用FreeRtos，在其中一个任务中，我使用以下代码擦除闪存的一个扇区 // Fill EraseInit structure EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;= numOfSectorsToErase;
HAL_FLASHEx_Erase_IT(&Era
浏览 6提问于2020-10-29得票数 2
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擦除后无法写入闪存
、、、、
所以我不能在擦除闪存后直接写入内部闪存。如果在写操作之前没有擦除操作，那么我可以。有什么想法可以解释原因吗？uint32_t pageAddress = 0x08008000;FLASH_PageErase(pageAddress);
HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_HALFWORD, pageAddress,
浏览 6提问于2015-02-13得票数 7
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由于这些变量经常被读和写，这会不会对nand flash不利，因为它们的读写周期有限吗？编辑:抱歉那些模棱两可的家伙。
浏览 3提问于2015-09-22得票数 1
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L4系列使用页面(或银行，如果你做一个完全擦除)擦除闪光灯。但是我在做页面删除后写东西时遇到了一些问题，我不知道为什么。有一个函数用于擦除/写入256页中的值： uint16_t *flash_biases = (uint16_t我有两个函数用于擦除/写入从0x08080800开始的数据(第257页)：
浏览 11提问于2021-07-20得票数 4
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我使用connect-flash和express来处理flash消息，但当我读取该属性时，这些消息会被删除，例如： 定义flash消息： req.flash("myMessage", "Hey!"); 正在阅读邮件： console.log(req.flash("myMessage")); // Hey!console.log(req.flash("myMessage")); /
浏览 19提问于2020-10-29得票数 0
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我有问题在闪存擦除部分代码。在为STM32G474RE微控制器设计引导加载程序之前，我尝试了STM32F767Zi Nucleo工具包。而且它在那套工具上运行得很好。\r\n"); FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; EraseInitStruct
浏览 7提问于2021-11-24得票数 0
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而且我找不到一个函数来擦除一个页面(在stm32f4xx_hal_flash.c和stm32f4xx_hal_flash_ex.c中)。或void FLASH_Erase_Sector(uint32_t Sector, uint8_t VoltageRange) )不允许您只删除一个页面(2048年kByte)，而只擦除整个扇区(或扇区if (FLASH->SR & FLASH_SR_EOP) {
FLASH->SR = <
浏览 12提问于2017-03-15得票数 2
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(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_OPERR|FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGAERR|FLASH_FLAG_PGSERR); /*HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, ADDR0, temp0);
FlashStatus[1] = HAL_FLASH_Program(= HAL_FLASH_Pr
浏览 0提问于2021-05-07得票数 1
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在启动加载程序唤醒后，等待CAN中的flash加载命令，如果接收到命令，则继续加载序列，如果在特定秒内没有收到消息，则跳转到特定的闪存区域。因此，如果没有引导加载程序，就不会跳转任何事情。--以下是一些可能的情景：
当收到零化命令时，擦除引导加载器部分。如果删除了引导加载程序，则无法运行任何应用程序。然后引导加载程序会醒来，如果设置了标志，它将擦除通常会被用户应用程序填充的闪存区域。这是一个更复杂的序列，但依赖性较小。引导加载器已经通过其数据库和应用程
浏览 3提问于2021-02-01得票数 1
我正在尝试擦除STM32F103RB上闪存中的一页，如下所示：FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR| FLASH_FLAG_WRPRTERR | FLASH_FLAG_OPTERR);但是，FLASH_EraseP
浏览 1提问于2013-10-23得票数 0
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我的库中有这样的函数:FLASH_Unlock(空)、FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)和FLASH_FastProgramWord(uint32_t地址、uint32_t数据) { KEEP(*(.bootsection)) /* Bootloader code */ } >
浏览 0提问于2015-06-11得票数 1
uint32_t PAGEError = 0;EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH
浏览 1提问于2017-08-09得票数 1
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例如，我有一个计数器值，需要保存到闪存，在重新启动后，我想再次读取该计数器。我对ARM处理器很陌生。我用的是HAL司机。s8 adl_flhRead( ascii * Handle, u16 ID, u16 Len, u8 * ReadData );
浏览 2提问于2015-08-01得票数 1
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. = ALIGN(4) ;在main.c文件中，我声明变量如下：
uint8_t buffer[60 * 200] __attribute__ ((section(".large_buffer
浏览 1提问于2016-12-06得票数 0
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根据我的理解，当系统启动时，引导数据被加载到ROM中，以便从Flash开始执行。假设我的程序数据和代码使用128 to的内部闪存，即使在此之后，内部flash中也有空闲空间(比如50 to或更多)；如果我的系统也有外部闪存，我是否可以将外部闪存数据移动到我的内部闪存的空闲空间，仅使用内部闪存
浏览 4提问于2015-12-11得票数 0
所以我的闪存有2k页面大小和128k擦除块大小。使用mtd-utils中的flash_erase /dev/mtd1 0 0，我可以擦除整个mtd1分区。分区总大小为256k。所以2个擦除块被擦除。我只能擦除整个擦除块。但在写入闪存时，我只需要写入页面记录。到底有什么区别，为什么我不能只把我想要删除的0xFF写到内存中，而不是使用必须被分页的erase。提前感谢您的投入！
浏览 21提问于2014-07-10得票数 1
EEPROM的名字是“只读”的，因此根据定义，您不能重写它，但是FLASH存储器被用于USB和许多其他不断重写的技术。我知道EEPROMS是“可擦除的”，这意味着我可以通过擦除和重写整个块来修改它们的内容，但是当我读和写东西时，USB怎么会像HDD那样工作呢？
同时，将其称为只读和可擦除又有什么意义呢？
浏览 0提问于2020-01-05得票数 -2
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这是我的密码：__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR|/* Get the 1st page to erase */
FirstPage =bank
浏览 1提问于2021-04-01得票数 0
据我所知，u-boot也使用Linux的mtd驱动程序，所以
是否可以从u-boot代码中执行fd = open("/dev/mtd0"，O_WRONLY)之类的操作？
浏览 8提问于2014-11-24得票数 1
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