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    模电学习第一天–PN结梳理

    本征半导体:纯净的、具有晶体结构的半导体 两种载流子:自由电子、空穴(两种载流子均参与导电) 本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象 复合:电子填补空穴 动态平衡:一定温度下,本征激发与复合产生的自由电子和空穴相等 温度影响:热运动加剧–挣脱共价键束缚自由电子增多–空穴增多–载流子浓度提高–导电能力增强 N型半导体:自由电子浓度大于空穴浓度,前者为多子,后者为少子 P型半导体:空穴浓度大于自由电子浓度 对于杂质半导体的温度影响:可以认为多子浓度约等于所掺杂质原子的浓度,且受温度影响很小;少子大多由本征激发而成,尽管浓度很低,但对温度非常敏感。 扩散运动:由浓度差引起的运动。PN结中P区的空穴向N区扩散,N区的自由电子向P区扩散。随着扩散运动的进行,空间电荷区加宽,内电场增强,阻止扩散运动的进行。 空间电荷区:由于扩散运动引起的复合使得P区出现负离子区,N区出现正离子区

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