在RAM中，单端口RAM（Single-port RAM）和双端口RAM（Dual-port RAM）是两种常见的类型，双端口RAM又分为真双端口（True dual-port RAM）和伪双端口RAM...又该如何区分真双端口和伪双端口？ 单端口RAM（Single-port RAM）： 输入只有一组数据线和一组地址线，读写共用地址线，输出只有一个端口。...伪双端口RAM可以提供并行读写操作，避免了传统单端口RAM的等待时间，因此有更快的访问速度和响应时间。...伪双端口RAM：AB可同时读写，但仅A写B读。 真双端口RAM：AB可同时读写，A可写可读，B可写可读。 图片 在功能上与伪双端口RAM与FIFO较为相似，两者有何区别？...ram_data[addr_a] =ram_data[addr_a]; ram_data[addr_b] =ram_data[addr_b]; end end endgenerate
Block RAM与Distributed RAM，简称为BRAM与DRAM， 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构： FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器，Distributed RAM需要使用SliceM，所以要占用CLB中的逻辑资源，而Block RAM是单独的存储单元...用户申请资源时，FPGA先提供Block RAM，当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。...Block RAM是单独的RAM资源，一定需要时钟，而Distributed RAM可以是组合逻辑，即给出地址马上给出数据，也可以加上register变成有时钟的RAM，而Block RAM一定是有时钟的...5、 在异步fifo ，用两种RAM可供选择，BRAM和DRAM，BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源，DRAM是拼接LUT构成。
对于逻辑级数较大的路径，常用的时序收敛的方法之一就是采用Retiming（中文翻译为重定时）。Retiming到底是怎么回事呢？我们可以通过下图理解。图中通过搬...
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。...5.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高，就用BlockRAM。...否则，就可以用Distributed RAM。
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线，因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时，需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM，只有一套地址总线，读和写是分开（至少不能在同一个周期内完成）。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
Q：当使用ram时，width是960bit，depth是16bit，只有15Kb大小， 为什么占用了很多个BRAM？...A：首先要知道什么是BRAM，就是Block RAM，这些RAM就是分块的，可以当成36kb来使用，也可以当成18kb来使用，如果使用空间小于18kb，也会占用一整个18kb的BRAM。...再结合下面这个图，可以知道RAM18和RAM36的输入位宽分别可以是多少。...，剩下的空间由1个RAM18即可满足。...因此总共需要13个RAM36和1个RAM18. 当然，如果每次都这么计算一遍太麻烦，我们还是直接让工具给出结果是最简单的。
2、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read – Only Memory) 电可擦可编程只读存储器 3、SRAM（Static RAM）静态RAM... 4、DRAM（Dynamic RAM）动态RAM 5、DDR SDRAM （Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 ...2、RAM有两大类： 一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，...DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这道题目描述简单，就是使用二分法对非负数开根号，并返回。 中午我实现了一版，截止目前测试没有发现问题。...基本实现思路是这样： 先初步确定开根号所在的一个大概区间[a,b] 然后使用二分法，逐次迭代 详细实现 下面我详细介绍下上面两个步骤。...第一步，初步确定开根号所在的一个大概区间[a,b] 其中，a,b都是整数，找到i**2大于fc的i，然后break，这样可以确定所得根号值一定位于：[i-1,i]中： 对应的代码块如下所示，其中x是输入的待开根号的数字...不过，在开根号这里，并不难想出来。
Ram Disk，顾名思义，就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了，比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储，都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时，本来就不依赖文件系统，因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着，别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大，而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk，它还只是一个Device，一般在使用时，还要在Disk上创建块设备，并将这个块设备格式化。
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内（2ms），先让存储器读写，然后集中刷新，这样就存在死区问题，如果是存取周期为2us的话，这样对于64*64的存储矩阵来说，集中刷新为128us，死区时间也为
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
What（介绍） Kick-off Meeting有的翻译为项目启动会议，也有的翻译成开工或者开踢会议，这不重要，明确这个英文名字即可，不用管如何翻译。该会议是PM激励其团队的最佳机会。...When (何时开) 在项目规划过程完成之后（即项目管理计划都已经完成之后），执行过程开始之前。这个会议的召开一般意味着项目开始进入执行阶段。...文件： OBS WBS(至少到开会参加的人员负责人的那个层级) RAM(至少包括到开会参加的人员负责部门的那个层级) 项目里程碑 时间进度表(包括甲方的资源日历也要进去) 议程 议程通常包括项目的目的，...如何开始 会议开始时，PM应负责会议。 接下来，所有的参与者可以做一轮简要的自我介绍，主要是为了相互认识。 尽管已经与与会者分享了会议议程，但简要介绍议程中的每个项目并简要介绍议程。...项目陈述 首先，谈谈项目的一些背景情况，以及是如何制定项目计划的。 陈述制定这个项目计划的理由，并在传达出一种对项目过程的建议持开放态度的信息。 介绍项目计划中的每项任务并作充分的阐述。
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快。...DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM，和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。...在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM：只读存储器的总称。
以UltraScale芯片为例，每个Block RAM为36Kb，由两个独立的18Kb Block RAM构成，如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出，Block RAM本身会对输入控制信号（addr, we, en）和输入数据（din）进行寄存（这些寄存器是可选的且在Block RAM内部），同时对输出也可寄存（该寄存器也是可选的）。...采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时，可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位，输出寄存器是带有复位端口的，但仅支持同步高有效。...实验证明，只要按照该结构描述，所有的寄存器会映射到Block RAM架构中，不会消耗额外的寄存器。 ?...结论： -在使用Block RAM时，为便于时序收敛，最好使用Embedded Registers 上期内容： 查找表用作分布式RAM 下期内容： Block RAM的性能与功耗
秒开是指用户点击播放到看到画面的时间非常短，在 1 秒之内。 为什么需要秒开？ 目前主流的直播协议是 RTMP，HTTP-FLV 和 HLS，都是基于 TCP 的长连接。...GOP 的第一个帧通常都是关键帧，由于加载的数据较少，可以达到 "首帧秒开"。...如果不能更改播放器行为逻辑为首帧秒开，直播服务器也可以做一些取巧处理，比如从缓存 GOP 改成缓存双关键帧（减少图像数量），这样可以极大程度地减少播放器加载 GOP 要传输的内容体积。...两者可以有效的互为补充，作为秒开的优化空间。...但游戏直播对画面质量和连贯性的要求高，对应推流端编码后的数据量和其他类型直播相比大的多，如何降低首屏时间是一个不小的难题。
设计中如果大量使用Block RAM，可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例，目标芯片为UltraScale，通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度，如下图所示。 ?...；若级联高度为8，同一时间有4个Block RAM处于激活状态。...还有一个综合属性ram_decomp，可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例，采用如下图所示的四种实现方式。...结论： -使用大深度的RAM时，可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式，以获得性能与功耗的折中 上期内容： Block RAM的基本结构 下期内容： UltraRAM
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!
（1）单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示，只有一个时钟源CLK，WE为写使能信号，EN为单口RAM使能信号，SSR为清零信号，ADDR为地址信号，DI和DO分别为写入和读出数据信号。...单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分，分别实现两个独立的单端口RAM。...需要注意的是，当要实现两个独立的单端口RAM模块时，首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。...（2）简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示，图中上边的端口只写，下边的端口只读，因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM（Pseudo Dual Port RAM）。...一般来讲，在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中，能达到的最宽数据位为36比特*512，但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。
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