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美光吃下“后悔药”,美国DDR4产能翻4倍!

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芯智讯
发布2026-05-26 17:35:13
发布2026-05-26 17:35:13
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当地时间5月22日,美光存储芯片大厂美光科技公司庆祝其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α(1-alpha)DRAM芯片,这是该公司大幅扩展美国内存制造的重要一步,将使其在美国的DDR4晶圆供应量直接翻上4倍,以解汽车、国防、航空航天等关键工业的“燃眉之急”。

据介绍,1α DRAM 节点是美国本土有史以来最先进的内存技术,非常适合用于关键应用的长生命周期内存,包括 DDR4 和 LPDDR4 产品。

美光也表示,其1α DRAM 技术是全球最先进的DDR4技术,将在未来几年与公司在爱达荷州博伊西和纽约克莱的领先内存技术同步支持长生命周期产品需求。美光预计马纳萨斯工厂将在2026年底前完成合格的1α DRAM生产。这项超过20亿美元的投资将使美光在马纳萨斯的DDR4晶圆供应增加4倍,为美国汽车、国防、航空航天及工业客户提供强有力支持。该项目也带来了3100多个直接制造业和社区就业岗位,这得到了联邦、州和地方激励措施的支持。

△美光董事长、总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉和美国贸易代表贾米森·格里尔。美国商务部长霍华德·卢特尼克也出席了活动,并发表讲话。

美光科技董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示:“今天的成就是美光2000亿美元投资计划中迈出的重要一步,旨在扩大美国内存制造和研发领域。”“这体现了美光对依赖关键应用长生命周期内存的客户和行业的持久承诺。我们自豪地将先进的1α DRAM制造带到美国本土,增强了对美国客户及我们服务的全球市场的国内供应。……”

此前,三星、SK海力士、美光这三大DRAM制造商为了满足来自云端巨头(hyperscalers)与数据中心营运商的需求,决定将DRAM晶圆厂产能重新分配至DDR5、LPDDR5X以及高带宽内存(HBM)等毛利率更高的产品上。 美光甚至已在2025年针对消费级与数据中心主流产品DDR4、LPDDR4发出了停产(end-of-life)通知,对客户的最后一批货品预计会在2026年初出货完毕。

然而,这项集体停产的决定,直接让拥有超长产品生命周期(long product cycles)的传统工业陷入巨大断供风险。 标普全球汽车(S&P Global Mobility)估计,2026年全球车用DRAM的合约价格将比2025年飙升70%至100%,并警告旧世代车用DRAM的供应量将在2028年底前急剧枯竭。据悉,汽车与工业买家手中的DDR4缓冲库存,已从过去的31周以上,大幅萎缩至6~8周。

由于当前DDR4/LPDDR4供应极为紧绷,而市场需求依然巨大,再加上DDR4/LPDDR4价格的持续上涨拉升了这类产品的毛利率,这也导致美光决定吃下“后悔药”,拉高DDR4产能供应。

但是,美光的这则DDR4扩产动作,非但没有起到稳定市场军心的作用,反而在资本市场引发了存储概念股的大跌。消息公布后,市场担忧存储芯片供给格局生变,认为“物以稀为贵”的涨价逻辑受到威胁,导致本周一多支存储概念股集体重挫。南亚科技、威刚、等相关个股纷纷跳水。

编辑:芯智讯-浪客剑

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原始发表:2026-05-26,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

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