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南京观海微电子---高速MOS驱动电路设计和应用指南
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南京观海微电子---高速MOS驱动电路设计和应用指南
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发布于 2025-12-09 14:09:30
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概述
在输入电压禁止高边N沟道场效应晶体管的直接栅极驱动电路使用的地方,可以考虑使用自举栅极驱动技术。这种技术采用了一个栅极驱动和跟随偏置电路,它们以主场效应晶体管的源极为参考。驱动电路和偏置电路以及器件的源极一起在两个输入电压之间波动。但是,驱动器和它的变化的偏差可以被低电压提供,因为输入电压没有在它们上面消耗。驱动器和参考地控制的信号通过一个电平位移电路连接了起来,这个电路必须承受高压差以及变动的高
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