国产高性能长晶缓冲器（开漏）系列替代TI和安世方案解析

长晶科技的LVC/AUP系列开漏缓冲器在封装形态、温度等级、直流特性（tpd、IOL/IOH）等维度已与TI、Nexperia（安世）完全对标，并实现了引脚兼容、规格重叠、软件仿真模型无缝替换。在本文中，我们系统梳理2路、3路、6路及单路开漏缓冲器的替代策略，帮助研发、采购、质量工程师完成选型迁移。

什么是“开漏缓冲器”？

开漏输出（Open-Drain）只能下拉不能上拉，需外接上拉电阻才能完成高电平驱动。其优点在于：

电平转换：通过改变上拉电压，可轻松实现1.2 V→5 V双向转换。

线与逻辑：多路输出直接并联，实现“与”功能，节省门电路。

驱动能力：可驱动LED、继电器、I²C总线等电流型负载。

产品族谱与核心特点

工艺平台：0.18μmCMOS，5VtolerantI/O，关断漏电流<1µA，ESD-HBM8kV。

温度等级：-40℃~125℃工业级，满足车规AEC-Q100Grade0应力试验。

低功耗：AUP系列静态电流≤0.9µA，比TI原型号再降20%。

开漏输出：支持Wired-AND、I²C电平移位、LED驱动、中断线“线或”等场景。

替代总览表

| 通道数 | 功能 | 长晶型号 | TI 型号 | 安世型号 | 关键参数 | 温度 | 封装 | 替代等级 |

| 单路 | AUP1G07 | CJ74AUP1G07M5N | SN74AUP1G07 | 74AUP1G07 | 2.2 ns/2.8 ns | ‑40~125 °C | SOT-23-5 | Pin-to-pin |

| 单路 | AUP1G07 | CJ74AUP1G07R5N | SN74AUP1G07 | 74AUP1G07 | 2.2 ns/2.8 ns | ‑40~125 °C | SOT-353 | Pin-to-pin |

| 2路 | LVC2G07 | CJ74LVC2G07M6N | SN74LVC2G07 | 74LVC2G07 | 5.3 ns/7.9 ns @4.5 V | ‑40~125 °C | SOT23-6 | Pin-to-pin |

| 2路 | LVC2G07 | CJ74LVC2G07R6N | SN74LVC2G07 | 74LVC2G07 | 同上 | ‑40~125 °C | SOT-363 | Pin-to-pin |

| 2路 | LVC2G07 | CJ74LVC2G07DNN | SN74LVC2G07 | 74LVC2G07 | 同上 | ‑40~125 °C | DFN1.45×1-6L | Pin-to-pin |

| 2路 | LVC2G07 | CJ74LVC2G07DKN | SN74LVC2G07 | 74LVC2G07 | 同上 | ‑40~125 °C | DFN1×1-6L | Pin-to-pin |

| 3路 | LVC3G07 | CJ74LVC3G07BAN | SN74LVC3G07 | 74LVC3G07 | 1.5 ns/2.9 ns | ‑40~125 °C | TSSOP8 | Pin-to-pin |

| 3路 | LVC3G07 | CJ74LVC3G07VAN | SN74LVC3G07 | 74LVC3G07 | 同上 | ‑40~125 °C | VSSOP8 | Pin-to-pin |

| 3路 | LVC3G07 | CJ74LVC3G07\* | SN74LVC3G07 | 74LVC3G07 | 同上 | ‑40~125 °C | XSON8(1.35×1 /1.95×1) | Pin-to-pin |

| 6路 | LVC07A | CJ74LVC07ADN | SN74LVC07A | 74LVC07A | 1.6 ns/2.6 ns | ‑40~125 °C | SOP14 | Pin-to-pin |

| 6路 | LVC07A | CJ74LVC07BDN | SN74LVC07A | 74LVC07A | 同上 | ‑40~125 °C | TSSOP14 | Pin-to-pin |

设计迁移注意事项

上拉电阻

开漏器件的速度与功耗由上拉电阻决定，替换时请保持原有阻值；若需提速，可适度减小阻值并确认长晶IO的VOL/IOL能力（IOL=24mA@4.5V，与TI相同）。

闲置脚处理

长晶输入悬空默认内置弱上拉，抗噪能力与TI/安世一致；但为降低待机电流，建议未用输入接GND或VCC。

仿真模型

长晶在官网提供IBIS、HSPICE及Altium原理图库，可直接导入Cadence/AD，实现信号完整性仿真。

焊盘钢网

DFN/QFN封装底部中央有大面积散热焊盘，钢网开窗建议0.5mm×0.5mm阵列，保证回流焊后空洞率<25%。

长晶半导体的缓冲器（开漏）系列为工程师提供了可靠的国产替代选择，在性能参数、封装形式和温度范围上全面兼容TI和安世半导体的对应型号。随着半导体国产化进程的加速，这些产品将在通信、工业、汽车和消费电子等领域发挥重要作用，帮助客户降低供应链风险，提升产品竞争力。