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社区首页 >专栏 >高耐压内置MOS降压恒压芯片 H6266A 100V转12V 120V转5V 150V转3.3V 仪表ic 高性能低功耗

高耐压内置MOS降压恒压芯片 H6266A 100V转12V 120V转5V 150V转3.3V 仪表ic 高性能低功耗

原创
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惠海小琴
发布2025-08-11 16:06:51
发布2025-08-11 16:06:51
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突破高压供电瓶颈!H6266A 内置150V MOS降压控制器为工业仪表与车载系统赋能

在工业控制、电动车载仪表等高压供电场景中,传统电源方案常面临输入范围窄、转换效率低、系统可靠性不足等挑战。H6266A高压降压恒压芯片的推出,为工程师提供了更优的宽压输入电源解决方案。

核心技术亮点:

宽压高耐压设计

内置150V耐压MOS管,支持 20V-130V宽范围输入,可直接对接100V/120V/150V高压电源,稳定输出3.3V/5V/12V低压,满足汽车电子、工业仪表等严苛供电需求。

高效能低功耗架构

采用PWM+PFM双模式自动切换技术,轻载效率显著提升,典型转换效率高可达95%,待机功耗大幅降低,契合设备开发趋势。

电压控制

集成高带宽环路与线损补偿技术,实现 ±3.5%输出电压精度,支持低3.3V稳压输出,确保敏感电路稳定运行。

多重保护功能机制

内置软启动(SS)+过流(OCP)+过热(OTP)+短路(SCP)四重保护机制,有效抑制浪涌冲击与异常工况损伤,提升系统容错能力与长期可靠性。

场景化应用优势:

▶ 车载电子:兼容汽车电池波动电压(12V/24V/48V系统),为仪表盘、车载充电器提供稳定低压电源

▶ 工业设备:直接适配100V+工业总线电压,简化DC-DC级联设计,降低BOM成本

▶ 电池供电系统:轻载PFM模式显著延长备用电源续航,5KHz-130KHz宽频响应优化动态性能

封装与散热:

ESOP-8封装集成底部散热焊盘,直连VIN与MOS漏极,有效提升功率密度与温升控制能力,解决高压小体积方案散热痛点。

H6266A以高集成度设计攻克高压转低压的技术难点,为工程师提供兼具性能的电源管理新选择。

原创声明:本文系作者授权腾讯云开发者社区发表,未经许可,不得转载。

如有侵权,请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除。

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