40V同步整流降压芯片32V 28V降压12V/5V/3.3V/3A 低功耗H4023国产替代LM2596

内置40V耐压双MOS：

高端PMOS：68mΩ

低端NMOS：24mΩ

支持3.2A持续输出，100%占空比（低压差直通）

精准控制

恒压(CV)：±3%精度，输出2.5V-34V（通过FB分压电阻调节：VOUT=2.5V×(1+R1/R2)）

恒流(CC)：±8%精度，高端电流采样（无外置电阻损耗）

控制模式：高端电流模式，动态响应快

工作架构

固定开关频率170kHz（低EMI，支持外部时钟同步）

轻载自动切换二极管仿真模式（12V@2A效率>90%）

关键设计

散热方案：

芯片底部散热焊盘直连SW引脚

PCB要求：≥6个φ0.3mm过孔（填充焊锡）至地平面，铜箔≥20mm×20mm

EMI抑制：

SW引脚紧凑布线，并联RC缓冲（100Ω+1nF）

保护功能：

短路保护（SCP）：打嗝模式（周期重启）

过热保护（OTP）：150℃关断→130℃恢复

欠压保护（UVLO）：<4.5V关闭产品特征

内置40V MOS

输入范围4.5V-38V

可支持3.2A持续输出电流

可支持100%占空比

输出电压电流可设(2.5V-34V)

恒流精度 士8%

恒压精度 士3%

170KHz固定开关频率

1. 效率优化

同步整流优势：内置24mΩ NMOS，轻载时自动切至二极管仿真模式，效率＞90%（12V@2A）。

热管理：

芯片底部散热焊盘需通过多过孔连接至PCB地平面（至少6个φ0.3mm过孔）。

铜箔面积≥20mm×20mm，必要时添加散热片。

2. 保护功能实现

短路保护（SCP）：

触发条件：输出持续短路时，芯片进入打嗝模式（周期重启）。

恢复条件：故障解除后自动恢复。

过热保护（OTP）：

结温＞150℃时关断输出，降温至130℃后恢复。

3. EMI抑制措施

开关节点（SW）：

使用紧凑的铺铜区域，避免长走线。

在SW与地之间并联RC缓冲电路（如100Ω+1nF），降低电压尖峰。

频率同步（可选）：若系统需多路电源，可通过外部时钟同步170kHz开关频率。

短路保护(SCP)，过热保护(OTP)，欠压

保护(UVLO)

高端电流检测输入端采样

输入端采样相对输出端采样，重载时电流

检测电阻功耗更低，整体效率更高;

车载充电器：兼容12V/24V电池系统，支持QC3.0快充（需外接识别芯片）

LED照明驱动：恒流精度±8%，适配3-36V灯带

便携设备电源：宽输入电压（4.5V-38V），输出可调至5V/9V/12V

电池充电管理：CC/CV特性适配锂电/铅酸充电

设计优势：

无需外置电流检测电阻，降低功耗

ESOP-8封装集成散热焊盘，简化PCB热管理

170kHz开关频率天然抑制低频噪声

EN使能引脚支持休眠模式（静态电流<1μA）