OFC 2025：单波200G/400G调制技术（III-V/硅光/薄膜铌酸锂/PLZT）

整理了OFC 2025上的不同平台展示的＞200 G/lane速率的调制器，几个比较有意思的结果包括三菱的106 GHz EML、Openlight的400G EAM、AMF通过片上均衡将硅光调制器带宽提升到90 GHz、Riga联合Keysight展示铌酸锂调制器的400G PAM4测试结果、九州大学的高效率200 Gaud电光调制器（0.58 Vcm）等。

一、博通的90 GHz EML

1. 结构
   • 采用混合 CMBH-Ridge InP 结构，集成 DFB 激光器与浅脊波导调制器，降低电容 20%
   • 引入低介电常数材料（low-κ dielectric）进一步优化调制器电容
   • 多量子阱（MQW）结构实现高温（55℃）下 > 15dB 的直流消光比
2. 封装
   • 氮化铝AIN COC，优化信号路径电感
   • 40Ω 终端匹配设计，支持高速测量（S11<5dB 至 110GHz）

二、三菱的106 GHz EML

1. 结构
   • 采用窄高台面 EAM，波导宽度进一步缩减 30%（相比去年ECOC报道），降低电容的同时保持高光学约束，集成SSC，提升光输出功率和光纤耦合效率
2. 封装
   • EML 芯片通过传统正装焊方法和Wire bond组装在基板上。为提高带宽，在子载体表面安装了与 EML 厚度相同的共面基板，并将连接共面基板与 EML 的信号键合线缩短至约 0.1 mm。

三、 九州大学高效率200Gbaud PLZT调制器

九州大学在基于PLZT材料的电光调制器上深耕多年了，PLZT性质与铌酸锂、BTO类似，相比铌酸锂有更高的电光系数（195 pm/V vs 31 pm/V），因此实现了更低的驱动电压和VpiL（0.58 V.cm，比铌酸锂小1倍左右），更短的调制长度（2.5 mm）。

四、 AMF带片上均衡的90 GHz硅光调制器

通过波导交叉结构补偿高频信号相位差（均衡器的原理似乎与之前浙大的工作有点像浙大&南航：首个超高速（＞110GHz）硅光MZ行波调制器），平坦频率响应，调制器插损2.1 dB，均衡器几乎没有带来额外损耗，3dB在均衡器的Peaking下带宽达到90GHz，不过只测了224G PAM4的眼图，看起来不是特别对称