三星第五代1b制程DRAM良率未达标，已成立工作小组解决

6月12日消息，根据韩国媒体ZDNet Korea的报导，三星第五代10nm级（1b）制程DRAM良率未达业界80%~90%的一般目标，这使得三星已于上个月开始，成立专门工作小组来进行解决。

三星是在于2023年5月宣布第五代10nm级（1b）制程16Gb DDR5內存开始量产，后又于2023年9月宣布第五代10nm级（1b）制程的32Gb DDR5內存开发成功。这代表着三星可在不使用TSV硅穿孔技术的情况下，就能生产128GB容量的高密度DDR5 RDIMM内存模块。

因为相较于采用TSV硅穿孔的3DS DIMM內存，这种不使用TSV硅穿孔技术的内存模块功耗减少10%，制造成本也显著降低。所以，第五代10nm级（1b）制程的32Gb DDR5內存颗粒被三星电子视为未来的主力产品。现在，三星成立专门工作组，目的就是迅速提升良率，能在市场上具备竞争力。

三星电子还决定积极扩大第五代10nm级（1b）制程DRAM的产量，未来华城15和平泽P2晶圆厂将成为这一产品的主要生产基地。其中，平泽P2晶圆厂目前主要以生产第三代10nm级（1z）制程的內存，未来将进行制程技术的升级。

三星电子计划将第五代10nm级（1b）制程DRAM的产能，从目前的每月4万片，扩大到2024年第三季的7万片，然后到第四季在到10万片的规模。之后，到明2025年则将进一步提升至每月20万片，以因应市场需需求。