DISCO推出新型SiC晶圆切割设备，速度提升10倍！

近日，日本半导体设备大厂Disco公司成功开发出了一款新型SiC晶圆切割设备DFG8541，可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆，并将SiC晶圆的切割速度提升至原来的10倍，极大地提高了生产效率。由于SiC晶圆的硬度极高，加工难度较大，这一技术突破对于推动SiC功率半导体的规模化生产具有重要意义。

△DFG8541可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆

为了满足半导体市场对小于8英寸晶圆的研磨需求，DISCO一直在提供全自动研磨机DFG8540。DFG8540已作为标准双轴研磨机被发往许多器件制造商和电气元件制造商。但自DFG8540首次发布以来已经过去了20年，客户的加工对象已经从硅扩展到包括SiC在内的化合物半导体。此外，随着高密度封装技术的发展，对晶圆减薄的需求不断增长，为了降低在加工、转移和清洁过程中由于颗粒粘附而导致的破损风险，现在需要保持设备内部更高的清洁度。

为此，DISCO开发了DFG8540的后继设备DFG8541，旨在保持高清洁度的同时稳定减薄，并提高可操作性和生产率。通过选择高扭矩主轴，可以支持SiC等高刚性难以加工的材料，从而应对由于全球脱碳运动而不断增长的SiC功率半导体制造需求。新系统通过使用摄像头的非接触式晶圆定心机制，以及将许多清洁功能作为标准功能，防止颗粒粘附在设备内部并降低薄晶圆的破损风险。

为了提高可操作性和生产率，安装的显示器尺寸已从 15 英寸 （DFG8540） 扩展到 19 英寸（使用电容式触摸屏）。由于可以为每个晶圆设置配方，因此即使存在多个配方，也可以执行连续加工。能够支持多品种小批量的生产。通过安装用于卡盘工作台倾斜度调整的电动轴，可以通过在监视器屏幕上输入值来校正加工形状，从而减少调整的停机时间。它降低了开发性产品、尖端产品和碳化硅等高成本晶圆的破损风险。通过采用内置真空泵，与DFG8540相比，占地面积减少了15%。新的轴承结构意味着与DFG8540相比，空气消耗量减少了约50%。

同时，Disco在HBM相关设备方面也取得了显著进展。随着生成式AI技术的快速发展，HBM的需求量大幅增长。Disco的设备在HBM加工时可以减少废弃物，提高生产效率，因此在市场上备受关注。

为了加强研发实力，Disco还宣布设立“中段制程研发中心”，专注于晶圆切割和搬运技术的研发。这一中心将展示Disco的自动化设备和最新技术成果，进一步巩固其在半导体设备领域的领先地位。

尽管面临国际半导体设备出口管制的挑战，Disco依然在国内市场保持强劲势头。通过持续投资研发和培育人才，Disco将继续引领行业创新，为未来的技术发展奠定坚实基础。

编辑：芯智讯-林子