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黄仁勋确认三星HBM3e未通过认证,但否认与功耗和散热问题有关

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芯智讯
发布于 2024-06-07 10:54:31
发布于 2024-06-07 10:54:31
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6月5日消息,英伟达(NVIDIA)CEO黄仁勋在Computex Taipei 2024的全球媒体记者会上首次公开表示,三星先进的高带宽內存(HBM)芯片尚未通过进行英伟达的官方认证。而英伟达的认证是三星开始供应HBM3和HBM3e之前的最后一步,这对于英伟达发展人工智能(AI)平台相当重要。

此前有消息指出,三星最新的HBM模块未通过英伟达认证,是因为存在过热和功耗问题。三星随后否认了其HBM产品有过热和功耗的问题,并表示其最先进的HBM3e产品的发展顺利进行当中。

黄仁勋最新的回应称,三星的“这些产品尚未通过任何认证,使得这些HBM产品尚未完全进入部署,我们还需要进行工程设计的工作,但是这目前还没完成。”并未表示三星HBM存在过热和功耗问题。

由于现阶段三星仍然是全球最大的內存芯片生产商,尽管它在HBM生产能力方面落后。但是三星表示,已开始量产其8层堆叠HBM3e产品,并将很快开始量产12层堆叠的产品,这将使得2024年HBM供应量预计将比2023年增加至少三倍。

当前,韩国的SK海力士在HBM3和HBM3e芯片方面处于领先地位,其目前也是英伟达HBM3和HBM3e的主要供应商。该公司的芯片产能到2025年都已被预订满,这使得SK海力士计划斥资146亿美元,建造新的生产基地以满足需求。三星也计划加紧研发脚步,希望能进一步拿回在內存市场领先的地位。

编辑:芯智讯-林子

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原始发表:2024-06-06,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

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