离子注入工艺仿真

离子注入作为半导体常用的掺杂手段，具有热扩散掺杂技术无法比拟的优势。列表对比

掺杂原子被动打进到基板的晶体内部，但是它是被硬塞进去的，不是一个热平衡下的过程，杂质一般也不出在晶格点阵上，且离子轨迹附近产生很多缺陷。如下图，

但是离子注入之后也是需要二次退火的，退火的目的一是去除缺陷，二是让掺杂的原子能够进入到晶格里面去，让其处于激活状态。感兴趣的可以查阅半导体书本学习，推荐一本卡哇伊的半导体书，日本人画的，估计是一位热爱画漫画的微电子专业的学生画的，萌妹子＋知识点画的很生动。

如何做好离子注入，可以通过以下公式计算得到。

离子注入工艺仿真

公式计算有点伤脑细胞啊，大家可以学习一下

《Silvaco TCAD工艺仿真离子注入、扩散、淀积和刻蚀》这本课

需要的同学可以来要PPT讲义。

TCAD有专门针对工艺仿真的功能。减少了实际试验的盲目。

上图是注入的参数选择窗口（Linux系统版本采用这个窗口）

例如我们模拟不同硼离子注入角度的效果

如上图，在晶向（110）的硅片上注入B离子，角度不同得到的注入深度对应的离子浓度不同。在这里我们就可以清楚的得到，离子在哪个深度的浓度最大。

附仿真代码：

go athena

line x loc = 0.0 spacing=0.02

line x loc = 0.5 spacing=0.02

line y loc = 0 spacing = 0.02

line y loc = 0.6 spacing = 0.05

个人备注哈：#后面的都是语句解释，不会运行。解释一下line语句，Line是表示定义网格，进行二位的定义，Loc是Location的简写，spacing是loc处临近网格的间距，二者默认单位都是um。其实就是定义一个仿真范围，而且spacing越小仿真的约细。

init

structure outfile=origin_STR.str

go athena

init infile=origin_STR.str

implant boron energy=35 dose=1.e13 tilt=0 rotation=0 print.mom

save outfile=titl_0.str

init infile=origin_STR.str

implant boron energy=35 dose=1.e13 tilt=1 rotation=0 print.mom

save outfile=titl_1.str

go athena

init infile=origin_STR.str

implant boron energy=35 dose=1.e13 tilt=2 rotation=0 print.mom

save outfile=titl_2.str

go athena

init infile=origin_STR.str

implant boron energy=35 dose=1.e13 tilt=7 rotation=0 print.mom

save outfile=titl_7.str

go athena

init infile=origin_STR.str

implant boron energy=35 dose=1.e13 tilt=10 rotation=0 print.mom

save outfile=titl_10.str

tonyplot -overlay titl_*.str

go athena

思考：如果注入量Dose=1*1015ions/cm2；注入离子选用N，基板采用砷化镓，求深度0.1um~1.5um处的离子注入浓度。注入角度0~7°，离子能量根据选用300Kev，选用2价N+。