半导体激光器的性能要素

半导体激光器有着许多不同于其他激光器的特点和用途。

1. 电学参数： 阈值电流、最大工作电流、电压降、背光电流、串联电阻。
2. 空间光学参数：近场、远场光强分布、发散角、像散；
3. 光谱特性：线宽、中心波长、边模抑制比；
4. 光学参数：输出光公路、消光比；
5. 动态特性：噪音、调制间畸变、上升和下降时间、啁啾。 重点介绍一下特性 1）阈值特性 阈值之后激光器就出现净增益。常用电流密度表示。影响到阈值特性的因素也有很多，主要有

1、器件结构的影响，QL、QB的发展。

2、材料影响。

3.温度影响。

像散像散是像差的一种，当光学系统对半导体激光器解离面上。

提高限制层带隙的方法是不在常规的GaAs（100）面上生长外延，采用MOCVD在偏离（100）晶面平行的【011】晶向5~7°的衬底上生长外延，可以增加限制层的带隙0.05~0.06eV，同时可以使小丘缺陷密度降低一个数量级以上。有源层（Ga0.85Al0.15）0.5In0.5P